Demkov alexander (28 Ergebnisse)
Sprache: Englisch
Verlag: New York/Heidelberg/Dordrecht, Springer., 2014
Serie: SpringerBriefs in Materials, Buch 13 von 68. Buch 13 von 68 - SpringerBriefs in Materials
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Verlag: Springer, 2014
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2014
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2014
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, th…e mechanism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2014
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2016
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Integration of Functional Oxides with Semiconductors | Alexander A. Demkov (u. a.) | Taschenbuch | x | Englisch | 2016 | Springer | EAN 9781493941698 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: prei…gu.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2016
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Paperback. Zustand: Brand New. reprint edition. 288 pages. 9.25x6.10x0.68 inches. In Stock.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Verlag, 2014
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Cmos Gate-stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155
. Ed(s): Demkov, Alexander A. (Freescale Semiconductor Inc., Austin, Texas); Taylor, Bill; Harris, H. Rusty; Butterbaugh, Jeffery W.; Rachmady, Willy
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Zustand: New. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. Editor(s): Demkov, Alexander A. (Freescale Semiconductor Inc., Austin, Texas); Taylor, Bill; Harris, H. Rusty; Butterbaugh, Jeffery W.; Rachmady, Willy. Series: MRS Proceedings. Num Pages: 194…pages, Illustrations. BIC Classification: TGM. Category: (U) Tertiary Education (US: College). Dimension: 228 x 152 x 13. Weight in Grams: 430. . 2009. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2016
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, the mecha…nism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials.
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book presents materials fundamentals of novel gate dielectrics that are being introduced into semiconductor manufacturing to ensure the continuous scalling of the CMOS devices. This is a very fast evolving field of research so we choose to focus on the… basic understanding of the structure, thermodunamics, and electronic properties of thesematerials that determine their performance in device applications. Most of these materials are transition metal oxides. Ironically, the d-orbitals responsible for the high dielectric constant cause sever integration difficulties thus intrinsically limiting high-k dielectrics. Though new in the electronics industry many of these materials are wel known in the field of ceramics, and we describe this unique connection. The complexity of the structure-property relations in TM oxides makes the use of the state of the art first-principles calculations necessary. Several chapters give a detailed description of the modern theory of polarization, and heterojunction band discontinuity within the framework of the density functional theory. Experimental methods include oxide melt solution calorimetry and differential scanning calorimetry, Raman scattering and other optical characterization techniques, transmission electron microscopy, and x-ray photoelectron spectroscopy.Many of the problems encounterd in the world of CMOS are also relvant for other semiconductors such as GaAs. A comprehensive review of recent developments in this field is thus also given. The book should be of interest to those actively engaged in the gate dielectric research, and to graduate students in Materials Science, Materials Physics, Materials Chemistry, and Electrical Engineering.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book presents materials fundamentals of novel gate dielectrics that are being introduced into semiconductor manufacturing to ensure the continuous scalling of the CMOS devices. This is a very fast evolving field of research so we choose to focus… on the basic understanding of the structure, thermodunamics, and electronic properties of thesematerials that determine their performance in device applications. Most of these materials are transition metal oxides. Ironically, the d-orbitals responsible for the high dielectric constant cause sever integration difficulties thus intrinsically limiting high-k dielectrics. Though new in the electronics industry many of these materials are wel known in the field of ceramics, and we describe this unique connection. The complexity of the structure-property relations in TM oxides makes the use of the state of the art first-principles calculations necessary. Several chapters give a detailed description of the modern theory of polarization, and heterojunction band discontinuity within the framework of the density functional theory. Experimental methods include oxide melt solution calorimetry and differential scanning calorimetry, Raman scattering and other optical characterization techniques, transmission electron microscopy, and x-ray photoelectron spectroscopy.Many of the problems encounterd in the world of CMOS are also relvant for other semiconductors such as GaAs. A comprehensive review of recent developments in this field is thus also given. The book should be of interest to those actively engaged in the gate dielectric research, and to graduate students in Materials Science, Materials Physics, Materials Chemistry, and Electrical Engineering.
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Anbieter: Trendbee - Abdullah Battal, Erding, DeutschlandTrendbee - Abdullah Battal
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Taschenbuch. Zustand: Sehr gut. 484 Seiten; Der Artikel ist in einem sehr guten Zustand und wurde nach den Trendbee-QualitÃtssicherungsstandards umfassend geprÃft. EBE-0005-10-04-2021 Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 830.
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Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes KönigreichRevaluation Books
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Paperback. Zustand: Brand New. 484 pages. 9.25x6.00x1.09 inches. In Stock.
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Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes KönigreichRevaluation Books
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Hardcover. Zustand: Brand New. 750 pages. 6.00x1.02x9.00 inches. In Stock.
Handbook of Molecular Beam Epitaxy of Oxide Materials (In 3 Volumes)
Ahn, Charles; Chambers, Scott; Demkov, Alexander A; Ekerdt, John; Jalan, Bharat; Kornblum, Lior; Ngai, Joseph; Posadas, Agham; Walker, Fred
- Hardcover
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes KönigreichRia Christie Collections
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Zustand: New. In.
Handbook of Molecular Beam Epitaxy of Oxide Materials (in 3 Volumes)
Ahn, Charles; Chambers, Scott; Demkov, Alexander A; Ekerdt, John; Jalan, Bharat; Kornblum, Lior; Ngai, Joseph; Posadas, Agham; Walker, Fred
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Company Dez 2025, 2025
- Hardcover
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, DeutschlandAHA-BUCH GmbH
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Buch. Zustand: Neu. Neuware - This set of books provide a detailed introduction to molecular beam epitaxy (MBE) of Oxides and modern characterization techniques used to analyze thin oxide films. A reprint volume containing seminal papers in the field allows the reader to experience the excitement of discovery first hand in the v…oices of people who made those discoveries. MBE revolutionized the semiconductor technology, but its introduction to oxide growth has been delayed, owing to a complex set of reasons that range from practical difficulties (chemically aggressive environment and high temperature) to fundamental differences from semiconductors (reactive growth). It aims to be a useful reference to an expert as well as a guide to a graduate student.
