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Gone Fishing: A Novel of Old Florida and Her Tragic Seas
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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CMOS Gate-Stack Scaling ? Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155 (MRS Proceedings)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107408326 ISBN 13: 9781107408326
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Cmos GateStack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155 (MRS Proceedings)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107408326 ISBN 13: 9781107408326
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New.
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CMOS Gate-Stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications : Volume 1155
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107408326 ISBN 13: 9781107408326
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, the mechanism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials.
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CMOS Gate-Stack Scaling ? Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155 (MRS Proceedings)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2009
ISBN 10: 1605111287 ISBN 13: 9781605111285
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Cmos Gate-stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications: Symposium Held April 14-16, 2009, San Francisco, California, U.s.a.: Vol 1155
Sprache: Englisch
Verlag: Materials Research Society, 2009
ISBN 10: 1605111287 ISBN 13: 9781605111285
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 194 pages. 9.13x6.30x0.79 inches. In Stock.
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Cmos Gate-stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155
Sprache: Englisch
Verlag: Materials Research Society, 2009
ISBN 10: 1605111287 ISBN 13: 9781605111285
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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In den WarenkorbZustand: New. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. Editor(s): Demkov, Alexander A. (Freescale Semiconductor Inc., Austin, Texas); Taylor, Bill; Harris, H. Rusty; Butterbaugh, Jeffery W.; Rachmady, Willy. Series: MRS Proceedings. Num Pages: 194 pages, Illustrations. BIC Classification: TGM. Category: (U) Tertiary Education (US: College). Dimension: 228 x 152 x 13. Weight in Grams: 430. . 2009. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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CMOS Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2009
ISBN 10: 1605111287 ISBN 13: 9781605111285
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, the mechanism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials.
