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Integration of functional oxides with semiconductors.
Buch 13 von 68: SpringerBriefs in MaterialsSprache: Englisch
Verlag: New York/Heidelberg/Dordrecht, Springer., 2014
ISBN 10: 1461493196 ISBN 13: 9781461493198
Anbieter: Universitätsbuchhandlung Herta Hold GmbH, Berlin, Deutschland
Verbandsmitglied: GIAQ ILAB VDA
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
24 cm. X, 278 p. Hardcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Sprache: Englisch.
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CMOS Gate-Stack Scaling ? Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155 (MRS Proceedings)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107408326 ISBN 13: 9781107408326
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Cmos GateStack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155 (MRS Proceedings)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107408326 ISBN 13: 9781107408326
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New.
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Integration Of Functional Oxides With Semiconductors
Buch 13 von 68: SpringerBriefs in MaterialsAnbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New. This is a Brand-new US Edition. This Item may be shipped from US or any other country as we have multiple locations worldwide.
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Integration of Functional Oxides with Semiconductors
Buch 13 von 68: SpringerBriefs in MaterialsAnbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
EUR 89,51
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In den WarenkorbZustand: Used. pp. 290 146 Illus. (113 Col.).
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Integration of Functional Oxides with Semiconductors
Buch 13 von 68: SpringerBriefs in MaterialsAnbieter: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Deutschland
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
Zustand: Used. pp. 290.
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CMOS Gate-Stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications : Volume 1155
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 1107408326 ISBN 13: 9781107408326
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, the mechanism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials.
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Integration of Functional Oxides with Semiconductors (Springerbriefs in Materials)
Buch 13 von 68: SpringerBriefs in MaterialsAnbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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CMOS Gate-Stack Scaling ? Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155 (MRS Proceedings)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2009
ISBN 10: 1605111287 ISBN 13: 9781605111285
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 120,76
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Materials Fundamentals of Gate Dielectrics
Anbieter: Phatpocket Limited, Waltham Abbey, HERTS, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 148,49
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In den WarenkorbZustand: Good. Your purchase helps support Sri Lankan Children's Charity 'The Rainbow Centre'. Ex-library, so some stamps and wear, but in good overall condition. Our donations to The Rainbow Centre have helped provide an education and a safe haven to hundreds of children who live in appalling conditions.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Integration of Functional Oxides with Semiconductors | Alexander A. Demkov (u. a.) | Taschenbuch | x | Englisch | 2016 | Springer | EAN 9781493941698 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Integration of Functional Oxides with Semiconductors (Springerbriefs in Materials)
Buch 13 von 68: SpringerBriefs in MaterialsAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 159,55
EUR 11,61 Versand
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. reprint edition. 288 pages. 9.25x6.10x0.68 inches. In Stock.
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Integration of Functional Oxides With Semiconductors
Buch 13 von 68: SpringerBriefs in MaterialsAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 158,45
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 278 pages. 9.75x6.50x0.75 inches. In Stock.
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Cmos Gate-stack Scaling Materials, Interfaces and Reliability Implications: Symposium Held April 14-16, 2009, San Francisco, California, U.s.a.: Vol 1155
Sprache: Englisch
Verlag: Materials Research Society, 2009
ISBN 10: 1605111287 ISBN 13: 9781605111285
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 165,75
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 194 pages. 9.13x6.30x0.79 inches. In Stock.
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Materials Fundamentals of Gate Dielectrics
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 164,83
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Cmos Gate-stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155
Sprache: Englisch
Verlag: Materials Research Society, 2009
ISBN 10: 1605111287 ISBN 13: 9781605111285
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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In den WarenkorbZustand: New. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. Editor(s): Demkov, Alexander A. (Freescale Semiconductor Inc., Austin, Texas); Taylor, Bill; Harris, H. Rusty; Butterbaugh, Jeffery W.; Rachmady, Willy. Series: MRS Proceedings. Num Pages: 194 pages, Illustrations. BIC Classification: TGM. Category: (U) Tertiary Education (US: College). Dimension: 228 x 152 x 13. Weight in Grams: 430. . 2009. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Integration of Functional Oxides with Semiconductors (Springerbriefs in Materials)
Buch 13 von 68: SpringerBriefs in MaterialsAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. reprint edition. 288 pages. 9.25x6.10x0.68 inches. In Stock.
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Materials Fundamentals of Gate Dielectrics
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Materials Fundamentals of Gate Dielectrics | Alexandra Navrotsky (u. a.) | Taschenbuch | viii | Englisch | 2011 | Springer | EAN 9789048167869 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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CMOS Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2009
ISBN 10: 1605111287 ISBN 13: 9781605111285
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, the mechanism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials.
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EUR 180,10
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Materials Fundamentals of Gate Dielectrics
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book presents materials fundamentals of novel gate dielectrics that are being introduced into semiconductor manufacturing to ensure the continuous scalling of the CMOS devices. This is a very fast evolving field of research so we choose to focus on the basic understanding of the structure, thermodunamics, and electronic properties of thesematerials that determine their performance in device applications. Most of these materials are transition metal oxides. Ironically, the d-orbitals responsible for the high dielectric constant cause sever integration difficulties thus intrinsically limiting high-k dielectrics. Though new in the electronics industry many of these materials are wel known in the field of ceramics, and we describe this unique connection. The complexity of the structure-property relations in TM oxides makes the use of the state of the art first-principles calculations necessary. Several chapters give a detailed description of the modern theory of polarization, and heterojunction band discontinuity within the framework of the density functional theory. Experimental methods include oxide melt solution calorimetry and differential scanning calorimetry, Raman scattering and other optical characterization techniques, transmission electron microscopy, and x-ray photoelectron spectroscopy.Many of the problems encounterd in the world of CMOS are also relvant for other semiconductors such as GaAs. A comprehensive review of recent developments in this field is thus also given. The book should be of interest to those actively engaged in the gate dielectric research, and to graduate students in Materials Science, Materials Physics, Materials Chemistry, and Electrical Engineering.
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Materials Fundamentals of Gate Dielectrics
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Netherlands, Springer, 2011
ISBN 10: 9048167868 ISBN 13: 9789048167869
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book presents materials fundamentals of novel gate dielectrics that are being introduced into semiconductor manufacturing to ensure the continuous scalling of the CMOS devices. This is a very fast evolving field of research so we choose to focus on the basic understanding of the structure, thermodunamics, and electronic properties of thesematerials that determine their performance in device applications. Most of these materials are transition metal oxides. Ironically, the d-orbitals responsible for the high dielectric constant cause sever integration difficulties thus intrinsically limiting high-k dielectrics. Though new in the electronics industry many of these materials are wel known in the field of ceramics, and we describe this unique connection. The complexity of the structure-property relations in TM oxides makes the use of the state of the art first-principles calculations necessary. Several chapters give a detailed description of the modern theory of polarization, and heterojunction band discontinuity within the framework of the density functional theory. Experimental methods include oxide melt solution calorimetry and differential scanning calorimetry, Raman scattering and other optical characterization techniques, transmission electron microscopy, and x-ray photoelectron spectroscopy.Many of the problems encounterd in the world of CMOS are also relvant for other semiconductors such as GaAs. A comprehensive review of recent developments in this field is thus also given. The book should be of interest to those actively engaged in the gate dielectric research, and to graduate students in Materials Science, Materials Physics, Materials Chemistry, and Electrical Engineering.
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Materials Fundamentals of Gate Dielectrics
Anbieter: Trendbee - Abdullah Battal, Erding, Deutschland
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Sehr gut. 484 Seiten; Der Artikel ist in einem sehr guten Zustand und wurde nach den Trendbee-QualitÃtssicherungsstandards umfassend geprÃft. EBE-0005-10-04-2021 Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 830.
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Materials Fundamentals of Gate Dielectrics
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 241,07
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. 484 pages. 9.25x6.00x1.09 inches. In Stock.
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Handbook Of Molecular Beam Epitaxy Of Oxide Materials (In 3 Volumes)
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2025
ISBN 10: 9819809673 ISBN 13: 9789819809677
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 1.114,21
EUR 23,22 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 2 verfügbar
In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 750 pages. 6.00x1.02x9.00 inches. In Stock.
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Handbook of Molecular Beam Epitaxy of Oxide Materials (In 3 Volumes)
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing, 2025
ISBN 10: 9819809673 ISBN 13: 9789819809677
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 1.245,44
EUR 13,91 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 16 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. In.
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Handbook of Molecular Beam Epitaxy of Oxide Materials (in 3 Volumes)
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Company Dez 2025, 2025
ISBN 10: 9819809673 ISBN 13: 9789819809677
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 1.292,59
EUR 65,00 Versand
Versand von Deutschland nach USAAnzahl: 2 verfügbar
In den WarenkorbBuch. Zustand: Neu. Neuware - This set of books provide a detailed introduction to molecular beam epitaxy (MBE) of Oxides and modern characterization techniques used to analyze thin oxide films. A reprint volume containing seminal papers in the field allows the reader to experience the excitement of discovery first hand in the voices of people who made those discoveries. MBE revolutionized the semiconductor technology, but its introduction to oxide growth has been delayed, owing to a complex set of reasons that range from practical difficulties (chemically aggressive environment and high temperature) to fundamental differences from semiconductors (reactive growth). It aims to be a useful reference to an expert as well as a guide to a graduate student.
