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Taschenbuch. Zustand: Neu. Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs | Viktor Sverdlov | Taschenbuch | Computational Microelectronics | xiv | Englisch | 2016 | Springer | EAN 9783709119334 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. reprint edition. 252 pages. 9.45x6.61x0.61 inches. In Stock.