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Magnetic and Spin Devices
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Magnetic and Spin Devices, Volume II
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Hardcover. Zustand: Fair. Spuren von Feuchtigkeit / Nässe; Leichte Rillen / Abschürfungen / Risse / Knicke; Gebrochener Buchrücken. Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
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Strain-induced Effects In Advanced Mosfets
Buch 3 von 17: Computational MicroelectronicsAnbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Buch 3 von 17: Computational MicroelectronicsAnbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
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Zustand: new. Pages: 336 Language: Russian. V antologiju voshli rasskazy trinadtsati russkikh pisatelej vtoroj poloviny XX stoletija, gde deti ne prosto vystupajut v kachestve personazhej, a vosprinimajut mir osobym obrazom, ne pokhozhim na videnie okruzhajuschej dejstvitelnosti vzroslymi gerojami. Sledom za rasskazami, soderzhaschimi zagadku rebjonka, pomescheny ikh interpretatsii. Avtory pojasnenij pytajutsja najti razgadku ili, po krajnej mere, nametit puti k ejo nakhozhdeniju. Jurij Kazakov. Vo sne ty gorko plakal Ljudmila Ulitskaja. Perlovyj sup Jurij Koval. Vystrel Tatjana Tolstaja. Svidanie s ptitsej Viktor Dragunskij. Pojut koljosa - tra-ta-ta Viktor Goljavkin. Premija Fridrikh Gorenshtejn. Dom s bashenkoj Andrej Bitov. No-ga Fazil Iskander. Mucheniki stseny Vasilij Aksjonov. Zavtraki sorok tretego goda Jurij Nagibin. Zimnij dub Valentin Rasputin. Uroki frantsuzskogo Ljudmila Petrushevskaja. Novye Robinzony 9785171629670.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)
Buch 3 von 17: Computational MicroelectronicsAnbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs (Computational Microelectronics)
Buch 3 von 17: Computational MicroelectronicsAnbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs | Viktor Sverdlov | Taschenbuch | Computational Microelectronics | xiv | Englisch | 2016 | Springer | EAN 9783709119334 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Buch 3 von 17: Computational MicroelectronicsAnbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Buch 3 von 17: Computational MicroelectronicsSprache: Englisch
Verlag: Springer Vienna, Springer Vienna, 2010
ISBN 10: 3709103819 ISBN 13: 9783709103814
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Buch 3 von 17: Computational MicroelectronicsAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. reprint edition. 252 pages. 9.45x6.61x0.61 inches. In Stock.
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Strain-induced Effects in Advanced Mosfets
Buch 3 von 17: Computational MicroelectronicsAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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