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Random Telegraph Signals in Semiconductor Devices
Buch 16 von 72: IOP Expanding PhysicsAnbieter: PBShop.store US, Wood Dale, IL, USA
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Random Telegraph Signals in Semiconductor Devices
Buch 16 von 72: IOP Expanding PhysicsAnbieter: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Vereinigtes Königreich
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Extended Defects In Germanium: Fundamental And Technological Aspects (springer Series In Materials Science)
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
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Extended Defects in Germanium - Fundamental and Technological Aspects
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
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Random Telegraph Signals in Semiconductor Devices
Buch 16 von 72: IOP Expanding PhysicsAnbieter: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Vereinigtes Königreich
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Random Telegraph Signals in Semiconductor Devices (Iop Expanding Physics)
Buch 16 von 72: IOP Expanding PhysicsAnbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Germanium-Based Technologies
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
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Extended Defects in Germanium: Fundamental and Technological Aspects (Springer Series in Materials Science, 118)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Germanium-Based Technologies: From Materials to Devices
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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CMOS Past, Present and Future (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials)
Buch 107 von 203: Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical MaterialsAnbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
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Metal Impurities in Silicon- and Germanium-Based Technologies: Origin, Characterization, Control, and Device Impact (Springer Series in Materials Science, 270)
Buch 186 von 233: Springer Series in Materials ScienceAnbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Metal Impurities in Silicon- and Germanium-Based Technologies: Origin, Characterization, Control, and Device Impact (Springer Series in Materials Science, 270)
Buch 186 von 233: Springer Series in Materials ScienceAnbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Cmos Past, Present and Future
Buch 107 von 203: Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical MaterialsAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. 278 pages. 9.00x6.00x0.83 inches. In Stock.
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Random Telegraph Signals in Semiconductor Devices
Buch 16 von 72: IOP Expanding PhysicsSprache: Englisch
Verlag: IOP Publishing Ltd Nov 2016, 2016
ISBN 10: 0750312734 ISBN 13: 9780750312738
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Neuware - Following their first observation in 1984, random telegraph signals (RTS) were initially a purely scientific tool to study fundamental aspects of defects in semiconductor devices. As semiconductor devices move to the nanoscale however, RTS have become an issue of major concern to the semiconductor industry, both in the development of current technology, such as memory devices and logic circuits, as well as in future semiconductor devices beyond the silicon roadmap, such as nanowire, TFET and carbon nanotube-based devices.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Extended Defects in Germanium | Fundamental and Technological Aspects | Eddy Simoen (u. a.) | Taschenbuch | xx | Englisch | 2010 | Springer-Verlag GmbH | EAN 9783642099212 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Extended Defects in Germanium : Fundamental and Technological Aspects
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Berlin Heidelberg, 2010
ISBN 10: 3642099211 ISBN 13: 9783642099212
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The aim is to give an overview of the physics of extended defects in Germanium, i.e. dislocations (line defects), grain boundaries, stacking faults, twins and {311} defects (two-dimensional defects) and precipitates, bubbles, etc. The first part covers fundamentals, describing the crystallographic structure and other physical and electrical properties, mainly of dislocations. Since dislocations are essential for the plastic deformation of Germanium, methods for analysis and imaging of dislocations and to evaluate their structure are described. Attention is given to the electrical and optical properties, which are important for devices made in dislocated Ge. The second part treats the creation of extended defects during wafer and device processing. Issues are addressed such as defect formation during ion implantation, necessary to create junctions, which are an essential part in every device type. Extended defects are also created during the deposition of thin or thick epitaxial layers on other substrates, which are important for optoelectronic and photovoltaic applications. In brief, the book is intended to provide a fundamental understanding of the extended-defect formation during Ge materials and device processing, providing ways to distinguish harmful from less detrimental defects and should point out ways for defect engineering and control.
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Extended Defects in Germanium : Fundamental and Technological Aspects
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg, 2009
ISBN 10: 3540856110 ISBN 13: 9783540856115
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The aim is to give an overview of the physics of extended defects in Germanium, i.e. dislocations (line defects), grain boundaries, stacking faults, twins and {311} defects (two-dimensional defects) and precipitates, bubbles, etc. The first part covers fundamentals, describing the crystallographic structure and other physical and electrical properties, mainly of dislocations. Since dislocations are essential for the plastic deformation of Germanium, methods for analysis and imaging of dislocations and to evaluate their structure are described. Attention is given to the electrical and optical properties, which are important for devices made in dislocated Ge. The second part treats the creation of extended defects during wafer and device processing. Issues are addressed such as defect formation during ion implantation, necessary to create junctions, which are an essential part in every device type. Extended defects are also created during the deposition of thin or thick epitaxial layers on other substrates, which are important for optoelectronic and photovoltaic applications. In brief, the book is intended to provide a fundamental understanding of the extended-defect formation during Ge materials and device processing, providing ways to distinguish harmful from less detrimental defects and should point out ways for defect engineering and control.
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Random Telegraph Signals in Semiconductor Devices
Buch 16 von 72: IOP Expanding PhysicsAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 219,44
EUR 14,46 Versand
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 218 pages. 10.00x7.25x0.75 inches. In Stock.
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Metal Impurities in Silicon- and Germanium-Based Technologies | Origin, Characterization, Control, and Device Impact
Buch 186 von 233: Springer Series in Materials ScienceSprache: Englisch
Verlag: Springer International Publishing, 2019
ISBN 10: 3030067475 ISBN 13: 9783030067472
Taschenbuch. Zustand: Neu. Metal Impurities in Silicon- and Germanium-Based Technologies | Origin, Characterization, Control, and Device Impact | Eddy Simoen (u. a.) | Taschenbuch | xxxiii | Englisch | 2019 | Springer International Publishing | EAN 9783030067472 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Fundamental and Technological Aspects of Extended Defects in Germanium
Sprache: Englisch
Verlag: Springer-Verlag Berlin And Heidelberg Gmbh & Co. Kg, 2009
ISBN 10: 3540856110 ISBN 13: 9783540856115
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 235,43
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 1st edition. 320 pages. 9.75x6.75x0.75 inches. In Stock.
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Metal Impurities in Silicon- and Germanium-Based Technologies : Origin, Characterization, Control, and Device Impact
Buch 186 von 233: Springer Series in Materials ScienceSprache: Englisch
Verlag: Springer International Publishing, Springer International Publishing, 2019
ISBN 10: 3030067475 ISBN 13: 9783030067472
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides a unique review of various aspects of metallic contamination in Si and Ge-based semiconductors. It discusses all of the important metals including their origin during crystal and/or device manufacturing, their fundamental properties, their characterization techniques and their impact on electrical devices' performance. Several control and possible gettering approaches are addressed.The book offers a valuable reference guide for all researchers and engineers studying advanced and state-of-the-art micro- and nano-electronic semiconductor devices and circuits. Adopting an interdisciplinary approach, it combines perspectives from e.g. material science, defect engineering, device processing, defect and device characterization, and device physics and engineering.
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Metal Impurities in Silicon- and Germanium-Based Technologies : Origin, Characterization, Control, and Device Impact
Buch 186 von 233: Springer Series in Materials ScienceSprache: Englisch
Verlag: Springer International Publishing, Springer International Publishing, 2018
ISBN 10: 3319939246 ISBN 13: 9783319939247
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides a unique review of various aspects of metallic contamination in Si and Ge-based semiconductors. It discusses all of the important metals including their origin during crystal and/or device manufacturing, their fundamental properties, their characterization techniques and their impact on electrical devices' performance. Several control and possible gettering approaches are addressed.The book offers a valuable reference guide for all researchers and engineers studying advanced and state-of-the-art micro- and nano-electronic semiconductor devices and circuits. Adopting an interdisciplinary approach, it combines perspectives from e.g. material science, defect engineering, device processing, defect and device characterization, and device physics and engineering.
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Germanium-Based Technologies: From Materials to Devices
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 257,64
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Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 1 verfügbar
In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. 476 pages. 9.45x6.50x1.12 inches. In Stock.
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Metal Impurities in Silicon- and Germanium-Based Technologies : Origin, Characterization, Control, and Device Impact
Buch 186 von 233: Springer Series in Materials ScienceAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 277,06
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