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Extended Defects In Germanium: Fundamental And Technological Aspects (springer Series In Materials Science)
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
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Extended Defects in Germanium - Fundamental and Technological Aspects
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
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Random Telegraph Signals in Semiconductor Devices
Buch 16 von 72: IOP Expanding PhysicsSprache: Englisch
Verlag: Institute of Physics Publishing, 2016
ISBN 10: 0750312734 ISBN 13: 9780750312738
Anbieter: PBShop.store US, Wood Dale, IL, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Germanium-Based Technologies
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
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Extended Defects in Germanium: Fundamental and Technological Aspects (Springer Series in Materials Science, 118)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Germanium-Based Technologies: From Materials to Devices
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 1st edition. 480 pages. 9.75x6.75x1.25 inches. In Stock.
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Metal Impurities in Silicon- and Germanium-Based Technologies: Origin, Characterization, Control, and Device Impact (Springer Series in Materials Science, 270)
Buch 186 von 233: Springer Series in Materials ScienceAnbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 177,03
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Metal Impurities in Silicon- and Germanium-Based Technologies: Origin, Characterization, Control, and Device Impact (Springer Series in Materials Science, 270)
Buch 186 von 233: Springer Series in Materials ScienceAnbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 324 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
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Zustand: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | As semiconductor devices move to the nanoscale, random telegraph signals have become an issue of major concern to the semiconductor industry. This book aims to provide a comprehensive and up-to-date review of one of the most challenging issues facing the semiconductor industry, from the fundamentals of random telegraph signals to applied technology.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Extended Defects in Germanium | Fundamental and Technological Aspects | Cor Claeys (u. a.) | Taschenbuch | Springer Series in Materials Science | xx | Englisch | 2010 | Springer | EAN 9783642099212 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Extended Defects in Germanium : Fundamental and Technological Aspects
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The aim is to give an overview of the physics of extended defects in Germanium, i.e. dislocations (line defects), grain boundaries, stacking faults, twins and {311} defects (two-dimensional defects) and precipitates, bubbles, etc. The first part covers fundamentals, describing the crystallographic structure and other physical and electrical properties, mainly of dislocations. Since dislocations are essential for the plastic deformation of Germanium, methods for analysis and imaging of dislocations and to evaluate their structure are described. Attention is given to the electrical and optical properties, which are important for devices made in dislocated Ge. The second part treats the creation of extended defects during wafer and device processing. Issues are addressed such as defect formation during ion implantation, necessary to create junctions, which are an essential part in every device type. Extended defects are also created during the deposition of thin or thick epitaxial layers on other substrates, which are important for optoelectronic and photovoltaic applications. In brief, the book is intended to provide a fundamental understanding of the extended-defect formation during Ge materials and device processing, providing ways to distinguish harmful from less detrimental defects and should point out ways for defect engineering and control.
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Extended Defects in Germanium : Fundamental and Technological Aspects
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The aim is to give an overview of the physics of extended defects in Germanium, i.e. dislocations (line defects), grain boundaries, stacking faults, twins and {311} defects (two-dimensional defects) and precipitates, bubbles, etc. The first part covers fundamentals, describing the crystallographic structure and other physical and electrical properties, mainly of dislocations. Since dislocations are essential for the plastic deformation of Germanium, methods for analysis and imaging of dislocations and to evaluate their structure are described. Attention is given to the electrical and optical properties, which are important for devices made in dislocated Ge. The second part treats the creation of extended defects during wafer and device processing. Issues are addressed such as defect formation during ion implantation, necessary to create junctions, which are an essential part in every device type. Extended defects are also created during the deposition of thin or thick epitaxial layers on other substrates, which are important for optoelectronic and photovoltaic applications. In brief, the book is intended to provide a fundamental understanding of the extended-defect formation during Ge materials and device processing, providing ways to distinguish harmful from less detrimental defects and should point out ways for defect engineering and control.
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Fundamental and Technological Aspects of Extended Defects in Germanium
Sprache: Englisch
Verlag: Springer-Verlag Berlin And Heidelberg Gmbh & Co. Kg, 2009
ISBN 10: 3540856110 ISBN 13: 9783540856115
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 241,11
EUR 14,51 Versand
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 1st edition. 320 pages. 9.75x6.75x0.75 inches. In Stock.
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Metal Impurities in Silicon- and Germanium-Based Technologies : Origin, Characterization, Control, and Device Impact
Buch 186 von 233: Springer Series in Materials ScienceAnbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides a unique review of various aspects of metallic contamination in Si and Ge-based semiconductors. It discusses all of the important metals including their origin during crystal and/or device manufacturing, their fundamental properties, their characterization techniques and their impact on electrical devices' performance. Several control and possible gettering approaches are addressed.The book offers a valuable reference guide for all researchers and engineers studying advanced and state-of-the-art micro- and nano-electronic semiconductor devices and circuits. Adopting an interdisciplinary approach, it combines perspectives from e.g. material science, defect engineering, device processing, defect and device characterization, and device physics and engineering.
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Metal Impurities in Silicon- and Germanium-Based Technologies : Origin, Characterization, Control, and Device Impact
Buch 186 von 233: Springer Series in Materials ScienceAnbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides a unique review of various aspects of metallic contamination in Si and Ge-based semiconductors. It discusses all of the important metals including their origin during crystal and/or device manufacturing, their fundamental properties, their characterization techniques and their impact on electrical devices' performance. Several control and possible gettering approaches are addressed.The book offers a valuable reference guide for all researchers and engineers studying advanced and state-of-the-art micro- and nano-electronic semiconductor devices and circuits. Adopting an interdisciplinary approach, it combines perspectives from e.g. material science, defect engineering, device processing, defect and device characterization, and device physics and engineering.
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Extended Defects in Germanium: Fundamental and Technological Aspects (Springer Series in Materials Science)
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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Germanium-Based Technologies: From Materials to Devices
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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EUR 258,56
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. 476 pages. 9.45x6.50x1.12 inches. In Stock.
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Metal Impurities in Silicon- and Germanium-Based Technologies : Origin, Characterization, Control, and Device Impact
Buch 186 von 233: Springer Series in Materials ScienceAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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