9780521024457 - photo-induced defects semiconductrs (cambridge studies in semiconductor physics and microelectronic engineering, 4, band 4) von redfield, david (6 Ergebnisse)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2006
Serie: Buch 2 von 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
- Softcover
Anbieter: Labyrinth Books, Princeton, NJ, USALabyrinth Books
Verkäufer/-in kontaktierenVerkäufer/-in mit 5 SternenZustand: Gebraucht - Gut
EUR 37,10
EUR 3,96 VersandVersand innerhalb von USAAnzahl: 1 verfügbar
Zustand: Very Good.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 1996
Serie: Buch 2 von 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
- Softcover
Anbieter: Antiquariat Thomas Haker GmbH & Co. KG, Berlin, DeutschlandAntiquariat Thomas Haker GmbH & Co. KG
Verkäufer/-in kontaktierenVerkäufer/-in mit 5 SternenVerbandsmitglied: GIAQ
Zustand: Gebraucht - Sehr gut
EUR 12,40
EUR 40,00 VersandVersand von Deutschland nach USAAnzahl: 1 verfügbar
Softcover/Paperback. Zustand: Sehr gut. x, 217 p. Very good. Shrink wrapped. / Sehr guter Zustand. In Folie verschweißt. Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 371.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2006
Serie: Buch 2 von 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
- Softcover
Anbieter: Phatpocket Limited, Waltham Abbey, HERTS, Vereinigtes KönigreichPhatpocket Limited
Verkäufer/-in kontaktierenVerkäufer/-in mit 5 SternenZustand: Gebraucht - Befriedigend
EUR 57,05
EUR 12,46 VersandVersand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 1 verfügbar
Zustand: Good. Used - Good. Your purchase helps support Sri Lankan Children's Charity 'The Rainbow Centre.' Ex-library, but has been well cared for. Our donations to The Rainbow Centre have helped provide an education and a safe haven to hundreds of children who live in appalling conditions.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2006
Serie: Buch 2 von 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
- Softcover
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes KönigreichRia Christie Collections
Verkäufer/-in kontaktierenVerkäufer/-in mit 5 SternenZustand: Neu
EUR 68,70
EUR 14,03 VersandVersand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
Zustand: New. In.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2006
Serie: Buch 2 von 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
- Softcover
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USAKennys Bookstore
Verkäufer/-in kontaktierenVerkäufer/-in mit 5 SternenZustand: Neu
EUR 95,76
EUR 9,23 VersandVersand innerhalb von USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
Zustand: New. A thorough review of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors. Series Editor(s): Ahmad, Haroon; Pepper, Michael; Broers, Alec. Series: Cambridge Studies in Semiconductor Physics & Microelectronic Engineering. Num Pages: 232 pages, 106 b/w illus. BIC Classification: PHK; TJFD5. Category: (P)… Professional & Vocational. Dimension: 229 x 152 x 13. Weight in Grams: 350. . 2008. 1st Edition. paperback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
- Weitere Bilder
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2006
Serie: Buch 2 von 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
- Softcover
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, DeutschlandAHA-BUCH GmbH
Verkäufer/-in kontaktierenVerkäufer/-in mit 5 SternenZustand: Neu
EUR 93,56
EUR 61,92 VersandVersand von Deutschland nach USAAnzahl: 1 verfügbar
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This is the first book to give a complete overview of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors. Such comparatively long-lived (or metastable) defects exhibit complex interactions with the surrounding material, and can signifi…cantly affect the performance and stability of certain semiconductor devices. After an introductory discussion of metastable defects, the properties of DX and EL2 centres in III-V compounds are presented. Additional crystalline materials are also dealt with, before a detailed description is given of the properties and kinetics of photo-induced defects in amorphous semiconductors. The book closes with an examination of the effects of photo-induced defects in a range of practical applications. Throughout, unifying concepts and models are stressed, and the book will be of great use to graduate students and researchers interested in the physics and materials science of semiconductors.
