Photo-Induced Defects in Semiconductors

Sprache: Englisch

Verlag: Cambridge University Press, 2006

0521024455 / 9780521024457

Serie: Buch 2 von 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering

Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, DeutschlandAHA-BUCH GmbH

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Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This is the first book to give a complete overview of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors. Such comparatively long-lived (or metastable) defects exhibit complex interactions with the surrounding material, and can significantly affect the performance and stability of certain semiconductor devices. After an introductory discussion of metastable defects, the properties of DX and EL2 centres in III-V compounds are presented. Additional crystalline materials are also dealt with, before a detailed description is given of the properties and kinetics of photo-induced defects in amorphous semiconductors. The book closes with an examination of the effects of photo-induced defects in a range of practical applications. Throughout, unifying concepts and models are stressed, and the book will be of great use to graduate students and researchers interested in the physics and materials science of semiconductors.

Bestandsnummer des Verkäufers 9780521024457

Titel
Photo-Induced Defects in Semiconductors
Autor
Redfield David
Verlag
Cambridge University Press
Erscheinungsjahr
2006
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
0521024455
ISBN-13
9780521024457
Artikelgewicht
383 Gramm
Abmessungen
229x152x14 mm
Serie
Buch 2 von 2: Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering

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