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Cmos Digital Integrated Circuits: Analysis and Design
Anbieter: ThriftBooks-Dallas, Dallas, TX, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Hardcover. Zustand: Very Good. No Jacket. May have limited writing in cover pages. Pages are unmarked. ~ ThriftBooks: Read More, Spend Less.
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CMOS Digital Integrated Circuits Analysis & Design
Sprache: Englisch
Verlag: William C Brown Pub (edition 2), 1998
ISBN 10: 0072925078 ISBN 13: 9780072925074
Hardcover. Zustand: Fair. 2. The item might be beaten up but readable. May contain markings or highlighting, as well as stains, bent corners, or any other major defect, but the text is not obscured in any way.
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CMOS Digital Integrated Circuits Analysis & Design
Anbieter: World of Books (was SecondSale), Montgomery, IL, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: Acceptable. Item in acceptable condition! Textbooks may not include supplemental items i.e. CDs, access codes etc.
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Design Automation for Timing-Driven Layout Synthesis (The Kluwer International Series in Engineering and Computer Science)
Sprache: Englisch
Verlag: Kluwer Academic Publishers, Norwell, U.S.A., 1993
ISBN 10: 0792392817 ISBN 13: 9780792392811
Anbieter: PsychoBabel & Skoob Books, Didcot, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Electrothermal Analysis Of Vlsi Systems
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New. This is a Brand-new US Edition. This Item may be shipped from US or any other country as we have multiple locations worldwide.
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Electrothermal Analysis of VLSI Systems
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
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Electrothermal Analysis of VLSI Systems
Anbieter: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Deutschland
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CMOS Digital Integrated Circuits Analysis & Design
Anbieter: Phatpocket Limited, Waltham Abbey, HERTS, Vereinigtes Königreich
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Electrothermal Analysis of VLSI Systems
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Electrothermal Analysis of VLSI Systems
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Zustand: Gut. Zustand: Gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Electrothermal Analysis of VLSI Systems addresses electrothermal problems in modern VLSI systems. Part I, The Building Blocks, discusses electrothermal phenomena and the fundamental building blocks that electrothermal simulation requires (including power analysis, temperature-dependent device modeling, thermal/electrothermal simulation, and experimental setup-calibration). Part II, The Applications, discusses three important applications of VLSI electrothermal analysis including temperature-dependent electromigration diagnosis, cell-level thermal placement and temperature-driven power and timing analysis. Electrothermal Analysis of VLSI Systems will be useful for researchers in the fields of IC reliability analysis and physical design, as well as VLSI designers and graduate students.
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 269 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Moore's law [Noy77], which predicted that the number of devices in tegrated on a chip would be doubled every two years, was accurate for a number of years. Only recently has the level of integration be gun to slow down somewhat due to the physical limits of integration technology. Advances in silicon technology have allowed Ie design ers to integrate more than a few million transistors on a chip; even a whole system of moderate complexity can now be implemented on a single chip. To keep pace with the increasing complexity in very large scale integrated (VLSI) circuits, the productivity of chip designers would have to increase at the same rate as the level of integration. Without such an increase in productivity, the design of complex systems might not be achievable within a reasonable time-frame. The rapidly increasing complexity of VLSI circuits has made de- 1 2 INTRODUCTION sign automation an absolute necessity, since the required increase in productivity can only be accomplished with the use of sophisticated design tools. Such tools also enable designers to perform trade-off analyses of different logic implementations and to make well-informed design decisions.
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Modeling of Electrical Overstress in Integrated Circuits (The Springer International Series in Engineering and Computer Science)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Design Automation for Timing-Driven Layout Synthesis (The Springer International Series in Engineering and Computer Science)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Modeling of Electrical Overstress in Integrated Circuits (The Springer International Series in Engineering and Computer Science, 289)
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Physical Design for Multichip Modules (The Springer International Series in Engineering and Computer Science, 267)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Physical Design for Multichip Modules (The Springer International Series in Engineering and Computer Science)
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Design Automation for Timing-Driven Layout Synthesis (The Springer International Series in Engineering and Computer Science, 198)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Design Automation for Timing-Driven Layout Synthesis
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Moore's law [Noy77], which predicted that the number of devices in tegrated on a chip would be doubled every two years, was accurate for a number of years. Only recently has the level of integration be gun to slow down somewhat due to the physical limits of integration technology. Advances in silicon technology have allowed Ie design ers to integrate more than a few million transistors on a chip; even a whole system of moderate complexity can now be implemented on a single chip. To keep pace with the increasing complexity in very large scale integrated (VLSI) circuits, the productivity of chip designers would have to increase at the same rate as the level of integration. Without such an increase in productivity, the design of complex systems might not be achievable within a reasonable time-frame. The rapidly increasing complexity of VLSI circuits has made de- 1 2 INTRODUCTION sign automation an absolute necessity, since the required increase in productivity can only be accomplished with the use of sophisticated design tools. Such tools also enable designers to perform trade-off analyses of different logic implementations and to make well-informed design decisions.
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Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits (The Springer International Series in Engineering and Computer Science, 227)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits (The Springer International Series in Engineering and Computer Science)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Cmos Digital Integrated Circuits: Analysis and Design
Sprache: Englisch
Verlag: McGraw-Hill Science Engineering, 2002
ISBN 10: 0072460539 ISBN 13: 9780072460537
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 3rd sub edition. 672 pages. 9.25x7.25x1.25 inches. In Stock.
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Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - As the complexity and the density of VLSI chips increase with shrinking design rules, the evaluation of long-term reliability of MOS VLSI circuits is becoming an important problem. The assessment and improvement of reliability on the circuit level should be based on both the failure mode analysis and the basic understanding of the physical failure mechanisms observed in integrated circuits. Hot-carrier induced degrada tion of MOS transistor characteristics is one of the primary mechanisms affecting the long-term reliability of MOS VLSI circuits. It is likely to become even more important in future generation chips, since the down ward scaling of transistor dimensions without proportional scaling of the operating voltage aggravates this problem. A thorough understanding of the physical mechanisms leading to hot-carrier related degradation of MOS transistors is a prerequisite for accurate circuit reliability evaluation. It is also being recognized that important reliability concerns other than the post-manufacture reliability qualification need to be addressed rigorously early in the design phase. The development and use of accurate reliability simulation tools are therefore crucial for early assessment and improvement of circuit reliability : Once the long-term reliability of the circuit is estimated through simulation, the results can be compared with predetermined reliability specifications or limits. If the predicted reliability does not satisfy the requirements, appropriate design modifications may be carried out to improve the resistance of the devices to degradation.
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In den WarenkorbGebunden. Zustand: New. As the complexity and the density of VLSI chips increase with shrinking design rules, the evaluation of long-term reliability of MOS VLSI circuits is becoming an important problem. The assessment and improvement of reliability on the circuit level should be.
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Hot Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits
Sprache: Englisch
Verlag: Kluwer Academic Publishers, 1993
ISBN 10: 079239352X ISBN 13: 9780792393528
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New. Addresses the issues related to hot-carrier reliability of MOS VLSI circuits.This book is primarily for use by engineers and scientists who study device and circuit-level reliability in VLSI systems and develop practical reliability measures and models. Series: The Springer International Series in Engineering and Computer Science. Num Pages: 212 pages, biography. BIC Classification: TJFC. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly. Dimension: 234 x 156 x 14. Weight in Grams: 509. . 1993. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
