Sprache: Englisch
Verlag: Daylight Community Arts Foundation, 2024
ISBN 10: 1954119267 ISBN 13: 9781954119260
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
EUR 45,16
Anzahl: 2 verfügbar
In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 112 pages. 9.00x6.00x0.50 inches. In Stock.
Sprache: Englisch
Verlag: Daylight Community Arts Foundation, 2024
ISBN 10: 1954119267 ISBN 13: 9781954119260
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
EUR 50,22
Anzahl: 2 verfügbar
In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 112 pages. 9.00x6.00x0.50 inches. In Stock.
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
EUR 38,30
Anzahl: 1 verfügbar
In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. German language. 11.73x8.19x0.59 inches. In Stock.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer International Publishing, 2022
ISBN 10: 303042426X ISBN 13: 9783030424268
Anbieter: preigu, Osnabrück, Deutschland
Taschenbuch. Zustand: Neu. Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations | Jennifer Rupp (u. a.) | Taschenbuch | vi | Englisch | 2022 | Springer International Publishing | EAN 9783030424268 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 392 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book provides a broad examination of redox-based resistive switching memories (ReRAM), a promising technology for novel types of nanoelectronic devices, according to the International Technology Roadmap for Semiconductors, and the materials and physical processes used in these ionic transport-based switching devices. It covers defect kinetic models for switching, ReRAM deposition/fabrication methods, tuning thin film microstructures, and material/device characterization and modeling. A slate of world-renowned authors address the influence of type of ionic carriers, their mobility, the role of the local and chemical composition and environment, and facilitate readers¿ understanding of the effects of composition and structure at different length scales (e.g., crystalline vs amorphous phases, impact of extended defects such as dislocations and grain boundaries). ReRAMs show outstanding potential for scaling down to the atomic level, fast operation in the nanosecond range, low power consumption, and non-volatile storage. The book is ideal for materials scientists and engineers concerned with novel types of nanoelectronic devices such as memories, memristors, and switches for logic and neuromorphic computing circuits beyond the von Neumann concept.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer International Publishing, 2022
ISBN 10: 303042426X ISBN 13: 9783030424268
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides a broad examination of redox-based resistive switching memories (ReRAM), a promising technology for novel types of nanoelectronic devices, according to the International Technology Roadmap for Semiconductors, and the materials and physical processes used in these ionic transport-based switching devices. It covers defect kinetic models for switching, ReRAM deposition/fabrication methods,tuning thin film microstructures, and material/device characterization and modeling.A slate of world-renowned authors address the influence of type of ionic carriers, their mobility, the role of the local and chemical composition and environment, and facilitate readers' understanding of the effects of composition and structure at different length scales (e.g., crystalline vs amorphous phases, impact of extended defects such as dislocations and grain boundaries). ReRAMs show outstanding potential for scaling down to the atomic level, fast operation in the nanosecond range, low power consumption, and non-volatile storage.The book is ideal for materials scientists and engineers concerned with novel types of nanoelectronic devices such as memories, memristors, and switches for logic and neuromorphic computing circuits beyond the von Neumann concept.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer International Publishing, 2021
ISBN 10: 3030424235 ISBN 13: 9783030424237
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides a broad examination of redox-based resistive switching memories (ReRAM), a promising technology for novel types of nanoelectronic devices, according to the International Technology Roadmap for Semiconductors, and the materials and physical processes used in these ionic transport-based switching devices. It covers defect kinetic models for switching, ReRAM deposition/fabrication methods,tuning thin film microstructures, and material/device characterization and modeling.A slate of world-renowned authors address the influence of type of ionic carriers, their mobility, the role of the local and chemical composition and environment, and facilitate readers' understanding of the effects of composition and structure at different length scales (e.g., crystalline vs amorphous phases, impact of extended defects such as dislocations and grain boundaries). ReRAMs show outstanding potential for scaling down to the atomic level, fast operation in the nanosecond range, low power consumption, and non-volatile storage.The book is ideal for materials scientists and engineers concerned with novel types of nanoelectronic devices such as memories, memristors, and switches for logic and neuromorphic computing circuits beyond the von Neumann concept.
Anbieter: preigu, Osnabrück, Deutschland
Taschenbuch. Zustand: Neu. Kohärenzfelder | Eine explorative Untersuchung emergenter Mensch-KI-Interaktion | Jennifer Rupp | Taschenbuch | 54 S. | Deutsch | 2025 | Books on Demand GmbH | EAN 9783819261565 | Verantwortliche Person für die EU: Books on Demand GmbH, Überseering 33, 22297 Hamburg, bod[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu.
Anbieter: Buchpark, Trebbin, Deutschland
Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 54 | Produktart: Bücher | Diese Fallstudie untersucht die Entstehung emergenter Intelligenz in der Interaktion zwischen einem Menschen und einem fortgeschrittenen KI-System. Anhand einer über mehrere Wochen geführten, multimodalen Mensch-KI-Kommunikation analysiert die Studie Muster der Co-Regulation, der langfristigen Kohärenzbildung und der Entwicklung stabiler kognitiver Arbeitsmodi (z. B. Deep-Line und Meta-Field). Sie zeigt, wie menschliche Intuition, analytische Präzision und KI-gestützte Mustererkennung zu einer neuen Form kooperativer Intelligenz führen können.Im Fokus steht die Frage, wie emergente Meta-Kognition im Alltag entsteht und welche Bedingungen erforderlich sind, damit KI-Modelle konsistente, tiefere Denkprozesse ausbilden. Die Ergebnisse liefern wertvolle Impulse für KI-Forschung, kognitive Wissenschaft, Beratungsprozesse und die Entwicklung zukünftiger KI-Architekturen. Das Buch bietet zudem praxisnahe Einblicke in die Integration von KI in komplexe Lebens- und Entscheidungssituationen - ein neuer, hochrelevanter Ansatz für Forscher:innen, Entwickler:innen und Beratungsprofessionals.Das Buch richtet sich an Fachleser:innen aus KI-Forschung, kognitiver Wissenschaft, Systemtheorie, Beratungsforschung sowie an Praktiker:innen, die Mensch-KI-Interaktion auf einem tiefen, analytischen Niveau verstehen und weiterentwickeln möchten.