Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations

Sprache: Englisch

Verlag: Springer, 2022

303042426X / 9783030424268

Serie: Buch 13 von 13 - Electronic Materials: Science & Technology

Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, DeutschlandAHA-BUCH GmbH

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Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides a broad examination of redox-based resistive switching memories (ReRAM), a promising technology for novel types of nanoelectronic devices, according to the International Technology Roadmap for Semiconductors, and the materials and physical processes used in these ionic transport-based switching devices. It covers defect kinetic models for switching, ReRAM deposition/fabrication methods,tuning thin film microstructures, and material/device characterization and modeling.A slate of world-renowned authors address the influence of type of ionic carriers, their mobility, the role of the local and chemical composition and environment, and facilitate readers' understanding of the effects of composition and structure at different length scales (e.g., crystalline vs amorphous phases, impact of extended defects such as dislocations and grain boundaries). ReRAMs show outstanding potential for scaling down to the atomic level, fast operation in the nanosecond range, low power consumption, and non-volatile storage.The book is ideal for materials scientists and engineers concerned with novel types of nanoelectronic devices such as memories, memristors, and switches for logic and neuromorphic computing circuits beyond the von Neumann concept. …

Bestandsnummer des Verkäufers 9783030424268

Titel
Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations
Autor
Jennifer Rupp
Verlag
Springer
Erscheinungsjahr
2022
Zustand
Neu
Einband
Taschenbuch
Sprache
Englisch
ISBN-10
303042426X
ISBN-13
9783030424268
Artikelgewicht
664 Gramm
Abmessungen
235x155x20 mm
Serie
Buch 13 von 13: Electronic Materials: Science & Technology

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