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Ivan the Terrible
Buch 32 von 51: Profiles In PowerAnbieter: ThriftBooks-Atlanta, AUSTELL, GA, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Paperback. Zustand: Good. No Jacket. Pages can have notes/highlighting. Spine may show signs of wear. ~ ThriftBooks: Read More, Spend Less.
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Ivan the Terrible
Buch 32 von 51: Profiles In PowerAnbieter: ThriftBooks-Phoenix, Phoenix, AZ, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Ivan the Terrible
Buch 32 von 51: Profiles In PowerAnbieter: ThriftBooks-Dallas, Dallas, TX, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Ivan the Terrible
Buch 32 von 51: Profiles In PowerAnbieter: ThriftBooks-Atlanta, AUSTELL, GA, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Ivan the Terrible
Buch 32 von 51: Profiles In PowerAnbieter: ThriftBooks-Dallas, Dallas, TX, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Ivan the Terrible
Buch 32 von 51: Profiles In PowerAnbieter: Better World Books, Mishawaka, IN, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: Very Good. 1 Edition. Used book that is in excellent condition. May show signs of wear or have minor defects.
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Ivan the Terrible
Buch 32 von 51: Profiles In PowerAnbieter: Better World Books, Mishawaka, IN, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: Good. 1 Edition. Used book that is in clean, average condition without any missing pages.
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Ivan the Terrible. Profiles in Power.
Sprache: Englisch
Verlag: Routledge, 2003
Anbieter: Antiquariat Bookfarm, Löbnitz, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Softcover. Ehem. Bibliotheksexemplar mit Signatur und Stempel. GUTER Zustand, ein paar Gebrauchsspuren. Ex-library with stamp and library-signature. GOOD condition, some traces of use. w15846 Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 350.
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Ivan the Terrible (Profiles in Power Series)
Buch 32 von 51: Profiles In PowerAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. 1st edition. 248 pages. 8.25x5.25x0.50 inches. In Stock.
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Ivan the Terrible (Profiles in Power (Hardcover))
Buch 32 von 51: Profiles In PowerAnbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
EUR 186,43
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | As technology scales into nano-meter region, design and test of Static Random Access Memories (SRAMs) becomes a highly complex task. Process disturbances and various defect mechanisms contribute to the increasing number of unstable SRAM cells with parametric sensitivity. Growing sizes of SRAM arrays increase the likelihood of cells with marginal stability and pose strict constraints on transistor parameters distributions.Standard functional tests often fail to detect unstable SRAM cells. Undetected unstable cells deteriorate quality and reliability of the product as such cells may fail to retain the data and cause a system failure. Special design and test measures have to be taken to identify cells with marginal stability. However, it is not sufficient to identify the unstable cells. To ensure reliable system operation, unstable cells have to be repaired. CMOS SRAM Circuit Design and Parametric Test in Nano-Scaled Technologies covers a broad range of topics related to SRAM design and test. From SRAM operation basics through cell electrical and physical design to process-aware and economical approach to SRAM testing. The emphasis of the book is on challenges and solutions of stability testing as well as on development of understanding of the link between the process technology and SRAM circuit design in modern nano-scaled technologies.
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Zustand: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | As technology scales into nano-meter region, design and test of Static Random Access Memories (SRAMs) becomes a highly complex task. Process disturbances and various defect mechanisms contribute to the increasing number of unstable SRAM cells with parametric sensitivity. Growing sizes of SRAM arrays increase the likelihood of cells with marginal stability and pose strict constraints on transistor parameters distributions.Standard functional tests often fail to detect unstable SRAM cells. Undetected unstable cells deteriorate quality and reliability of the product as such cells may fail to retain the data and cause a system failure. Special design and test measures have to be taken to identify cells with marginal stability. However, it is not sufficient to identify the unstable cells. To ensure reliable system operation, unstable cells have to be repaired. CMOS SRAM Circuit Design and Parametric Test in Nano-Scaled Technologies covers a broad range of topics related to SRAM design and test. From SRAM operation basics through cell electrical and physical design to process-aware and economical approach to SRAM testing. The emphasis of the book is on challenges and solutions of stability testing as well as on development of understanding of the link between the process technology and SRAM circuit design in modern nano-scaled technologies.
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