Ishiwara (26 Ergebnisse)
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Sprache: Englisch
Verlag: Dordrecht, Springer., 2016
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 26 von 37. Buch 26 von 37 - Topics in Applied Physics
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XVIII, 347 p. Hardcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Sprache: Englisch.
Sprache: Englisch
Verlag: Singapore, Springer., 2020
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 30 von 37. Buch 30 von 37 - Topics in Applied Physics
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2nd ed. 2020. XIV, 425 p. Hardcover. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Topics in Applied Physics, 131. Sprache: Englisch.
Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories. Device Physics and Applications.
Park, Byung-Eun/Ishiwara, Hiroshi/Okuyama, Masanori/Sakai, Shigeki/Yoon, Sung-Min (Hrsg.)
Sprache: Englisch
Verlag: Singapore, Springer Singapore., 2021
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 30 von 37. Buch 30 von 37 - Topics in Applied Physics
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2nd ed. 2020. 16 x 24 cm. XIV, 425 S. XIV, 425 p. 313 illus., 183 illus. in color. Softcover (Topics in Applied Physics). Sprache: Englisch.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2016
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 26 von 37. Buch 26 von 37 - Topics in Applied Physics
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Hardcover. 347 S. Ex-library with stamp and library-signature in good condition, some traces of use. C-00991 9789402408393 Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 550.
Ferroelectric Random Access Memories. Fundamentals and Applications.
Ishiwara, Hiroshi/Okuyama, Masanori/Arimoto, Yoshihiro (Hrsg.)
Sprache: Englisch
Verlag: Berlin/ Heidelberg, Springer Berlin., 2004
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 8 von 37. Buch 8 von 37 - Topics in Applied Physics
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2004. 16 x 24 cm. XIII, 291 S. XIII, 291 p. Hardcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. (Topics in Applied Physics). Sprache: E…nglisch.
Sprache: Englisch
Verlag: Berlin, Springer, 2004
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Hardcover. C-02152 Ex-library with Stamp and Library-Signature in Good Condition, Some Traces of Use Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 550.
Sprache: Englisch
Verlag: SPRINGER NATURE, 2016
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 26 von 37. Buch 26 von 37 - Topics in Applied Physics
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 347 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2018
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 26 von 37. Buch 26 von 37 - Topics in Applied Physics
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2018
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 26 von 37. Buch 26 von 37 - Topics in Applied Physics
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories | Device Physics and Applications | Byung-Eun Park (u. a.) | Taschenbuch | xviii | Englisch | 2018 | Springer | EAN 9789402414165 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]s…pringer[dot]com | Anbieter: preigu.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2021
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 30 von 37. Buch 30 von 37 - Topics in Applied Physics
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Verlag: Springer, 2020
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 30 von 37. Buch 30 von 37 - Topics in Applied Physics
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Verlag: Springer, 2018
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 26 von 37. Buch 26 von 37 - Topics in Applied Physics
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric me…mory has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact. Among the various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has progressed most actively since the late 1980s and has achieved modest mass production levels for specific applications since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time.This book aims to provide readers with the development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass or plastic substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2018
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 26 von 37. Buch 26 von 37 - Topics in Applied Physics
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Paperback. Zustand: Brand New. reprint edition. 347 pages. 9.25x6.10x0.83 inches. In Stock.
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Verlag: Springer Nature Singapore, Springer Nature Singapore, 2020
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 30 von 37. Buch 30 von 37 - Topics in Applied Physics
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric memory ha…s interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact.Among various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has been most actively progressed since the late 1980s and reached modest mass production for specific application since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims the ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time. This book aims to provide the readers with development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass, plastic or paper substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.
Weitere BilderSprache: Englisch
Verlag: Springer, 2021
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 30 von 37. Buch 30 von 37 - Topics in Applied Physics
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories | Device Physics and Applications | Byung-Eun Park (u. a.) | Taschenbuch | Topics in Applied Physics | xiv | Englisch | 2021 | Springer | EAN 9789811512148 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg,… juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, Springer, 2021
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 30 von 37. Buch 30 von 37 - Topics in Applied Physics
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric me…mory has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact.Among various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has been most actively progressed since the late 1980s and reached modest mass production for specific application since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims the ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time. This book aims to provide the readers with development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass, plastic or paper substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Nature, 2021
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 30 von 37. Buch 30 von 37 - Topics in Applied Physics
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Paperback. Zustand: Brand New. 2nd edition. 439 pages. 9.25x6.10x1.06 inches. In Stock.
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Verlag: Springer, 2010
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 8 von 37. Buch 8 von 37 - Topics in Applied Physics
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Ferroelectric Random Access Memories | Fundamentals and Applications | Hiroshi Ishiwara (u. a.) | Taschenbuch | Topics in Applied Physics | xiii | Englisch | 2010 | Springer | EAN 9783642073847 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]h…artmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2010
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 8 von 37. Buch 8 von 37 - Topics in Applied Physics
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EUR 352,16
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2010
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 8 von 37. Buch 8 von 37 - Topics in Applied Physics
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Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, DeutschlandAHA-BUCH GmbH
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EUR 331,86
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - In fabrication of FeRAMs, various academic and technological backgrounds are necessary, which include ferroelectric materials, thin film formation, device physics, circuit design, and so on. This book covers from fundamentals to applications of ferro…electric random access memories (FeRAMs). The book consists of 5 parts: (1) ferroelectric thin films, (2) deposition and characterization methods, (3) fabrication process and circuit design, (4) advanced-type memories, and (5) applications and future prospects; each part is further divided into several chapters. Because of the wide range of topics discussed, each chapter in this book was written by one of the best authors knowing the specific topic very well. Thus, this is a good introductory book on FeRAM for graduate students and newcomers to this field; it alsohelps specialists to understand FeRAMs more deeply.
Verlag: Tokyo,, 1907
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Anbieter: Bouquinerie du Varis, Russy, FR, SchweizBouquinerie du Varis
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Sprache: Deutsch
Verlag: Japan, Sendai, 1912
Anbieter: Antiquariat am Roßacker, Rosenheim, DeutschlandAntiquariat am Roßacker
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EUR 350,00
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8° , Orig.Brosch. 38 S. Handschriftliche Widmung für "Herrn Prof. Dr. A. Sommerfeld". Jun Ishiwara ( 1881 - 1947 ) war ein japanischer theoretischer Physiker. Er studierte von April 1912 bis Mai 1914 unter anderem bei Max Planck in Berlin und danach bei Arnold Sommerfeld in München, besuchte 1913 Albert Einstein in Zürich und er…hielt 1914 eine volle Professor für Physik an der neugegründeten Universität Tohoku. In guter Erhaltung. Sprache: Deutsch Gewicht in Gramm: 550.
