Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications.

Park, Byung-Eun, Hiroshi Ishiwara und Masanori Okuyama:

ISBN 10: 9402408398 ISBN 13: 9789402408393
Verlag: Springer, 2016
Sprache: Englisch
Zustand: Gebraucht Hardcover

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