Gesamtpreis (1 Artikel Artikel):
Versandziel:
bentarzi hamid (14 Ergebnisse)
Direkt zu den wichtigsten Suchergebnissen
Suchfilter
Produktart
- Alle Product Types
- Bücher (14)
- Magazine & Zeitschriften (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Comics (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Noten (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Kunst, Grafik & Poster (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Fotografien (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Karten (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Manuskripte & Papierantiquitäten (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
Zustand Mehr dazu
- Neu (12)
- Wie Neu, Sehr Gut oder Gut Bis Sehr Gut (2)
- Gut oder Befriedigend (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Ausreichend oder Schlecht (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Wie beschrieben (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
Einband
Weitere Eigenschaften
- Erstausgabe (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Signiert (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Schutzumschlag (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Angebotsfoto (4)
Sprache (1)
Preis
- Beliebiger Preis
- Weniger als EUR 20 (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- EUR 20 bis EUR 45
- Mehr als EUR 45
Gratisversand
Land des Verkäufers
Verkäuferbewertung
-
Transport in metal-oxide-semiconductor structures : mobile ions effects on the oxide properties. Engineering materials
Buch 7 von 110: Engineering MaterialsSprache: Englisch
Verlag: Berlin ; Heidelberg : Springer, 2011
ISBN 10: 3642163033 ISBN 13: 9783642163036
Anbieter: Kepler-Buchversand Huong Bach, Weil der Stadt, Deutschland
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
Gr.-8°, gebundene Ausgabe. Zustand: Sehr gut. XIII, 104 S. : graph. Darst. Gebraucht: sehr guter Zustand. Contents: Introduction / The MOS STructure / The MOS Oxide and its Defects / Review of Transport Mechanism in Thin Oxides / of MOS Devices / Experimental Techniques / Theoretical Approaches of Mobile Ions Density Distribution Determination / Theoretical Model of Mobile Ions Distribution and Ionic Current in the MOS Oxide / Index. Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 315.
-
The 1st International Conference on Computational Engineering and Intelligent Systems
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 50,19
EUR 13,73 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. In.
-
The 2nd International Conference on Computational Engineering and Intelligent Systems
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 59,10
EUR 13,73 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. In.
-
Transport In Metal-oxide-semiconductor Structures: Mobile Ions Effects On The Oxide Properties (engineering Materials)
Buch 7 von 110: Engineering MaterialsAnbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: New. This is a Brand-new US Edition. This Item may be shipped from US or any other country as we have multiple locations worldwide.
-
Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties (Engineering Materials)
Buch 7 von 110: Engineering MaterialsAnbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 111,78
EUR 13,73 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. In.
-
Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties (Engineering Materials)
Buch 7 von 110: Engineering MaterialsAnbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 113,49
EUR 13,73 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. In.
-
Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.
-
Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
Buch 7 von 110: Engineering MaterialsAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 147,64
EUR 11,46 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 2 verfügbar
In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. 2011 edition. 117 pages. 9.25x6.10x0.28 inches. In Stock.
-
Transport in Metal-oxide-semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
Buch 7 von 110: Engineering MaterialsAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 149,22
EUR 11,46 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 2 verfügbar
In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 104 pages. 9.00x6.25x0.75 inches. In Stock.
-
Taschenbuch. Zustand: Neu. Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures | Mobile Ions Effects on the Oxide Properties | Hamid Bentarzi | Taschenbuch | Engineering Materials | xiv | Englisch | 2013 | Springer | EAN 9783642266881 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
-
Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures : Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
Buch 7 von 110: Engineering MaterialsSprache: Englisch
Verlag: Springer Berlin Heidelberg, 2013
ISBN 10: 3642266886 ISBN 13: 9783642266881
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.
-
Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures : Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
Buch 7 von 110: Engineering MaterialsSprache: Englisch
Verlag: Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg, 2011
ISBN 10: 3642163033 ISBN 13: 9783642163036
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.
-
Optimizing and Measuring Smart Grid Operation and Control
Sprache: Englisch
Verlag: Engineering Science Reference, 2020
ISBN 10: 1799869210 ISBN 13: 9781799869214
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 187,85
EUR 13,73 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. In.
-
Optimizing and Measuring Smart Grid Operation and Control
Sprache: Englisch
Verlag: Engineering Science Reference, 2020
ISBN 10: 1799840271 ISBN 13: 9781799840275
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 245,43
EUR 13,73 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. In.
