Transport in metal-oxide-semiconductor structures : mobile ions effects on the oxide properties. Engineering materials

Sprache: Englisch

Verlag: Berlin ; Heidelberg : Springer, 2011

3642163033 / 9783642163036

Serie: Buch 7 von 110 - Engineering Materials

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XIII, 104 S. : graph. Darst. Gebraucht: sehr guter Zustand. Contents: Introduction / The MOS STructure / The MOS Oxide and its Defects / Review of Transport Mechanism in Thin Oxides / of MOS Devices / Experimental Techniques / Theoretical Approaches of Mobile Ions Density Distribution Determination / Theoretical Model of Mobile Ions Distribution and Ionic Current in the MOS Oxide / Index. Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 315.

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Titel
Transport in metal-oxide-semiconductor structures : mobile ions effects on the oxide properties. Engineering materials
Autor
Bentarzi, Hamid (Verfasser):
Verlag
Berlin ; Heidelberg : Springer
Veröffentlichungsjahr
2011
Zustand
Sehr gut
Einband
Gr.-8°, gebundene Ausgabe
Sprache
Englisch
ISBN-10
3642163033
ISBN-13
9783642163036
Artikelgewicht
315 Gramm
Serie
Buch 7 von 110: Engineering Materials
Verkäuferkataloge
Wissenschaft - Physik - Chemie

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