Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Electrothermal Analysis of VLSI Systems addresses electrothermal problems in modern VLSI systems. Part I, The Building Blocks, discusses electrothermal phenomena and the fundamental building blocks that electrothermal simulation requires (including power analysis, temperature-dependent device modeling, thermal/electrothermal simulation, and experimental setup-calibration). Part II, The Applications, discusses three important applications of VLSI electrothermal analysis including temperature-dependent electromigration diagnosis, cell-level thermal placement and temperature-driven power and timing analysis. Electrothermal Analysis of VLSI Systems will be useful for researchers in the fields of IC reliability analysis and physical design, as well as VLSI designers and graduate students.

Bestandsnummer des Verk�ufers 9780792378617

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Bibliografische Details

Titel: Electrothermal Analysis of VLSI Systems
Verlag: Springer US, Springer US
Erscheinungsjahr: 2000
Sprache: Englisch
ISBN-10: 079237861X
ISBN-13: 9780792378617
Einband: Buch
Zustand: Neu
Abmessungen: Breite: 241 mm, H�he: 160 mm, Tiefe: 18 mm
Gewicht: 530 Gramm

�ber diesen Titel

Inhaltsangabe

This useful book addresses electrothermal problems in modern VLSI systems. It discusses electrothermal phenomena and the fundamental building blocks that electrothermal simulation requires. The authors present three important applications of VLSI electrothermal analysis: temperature-dependent electromigration diagnosis, cell-level thermal placement, and temperature-driven power and timing analysis.

Cr�ticas

From the Foreword:

`Continuing increases in the levels of circuit integration and concomitant increases in performance are sustaining the trend of increasing power dissipation in VLSI systems. A consequence is that the impact of temperature on the successful operation and reliability of devices must be comprehended during the design process.....This text provides a comprehensive formulation of the electrothermal analysis problem beginning with a summary of the sources of power dissipation in CMOS circuits and followed by a formulation of the effect of temperature on MOS devices.'
Dr. Ralph K. Cavin, Vice President, Semiconductor Research Corporation

��ber diesen Titel� kann sich auf eine andere Ausgabe dieses Titels beziehen.

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