Ferroelectric random access memories (5 Ergebnisse)
Ferroelectric Random Access Memories. Fundamentals and Applications.
Ishiwara, Hiroshi/Okuyama, Masanori/Arimoto, Yoshihiro (Hrsg.)
Sprache: Englisch
Verlag: Berlin/ Heidelberg, Springer Berlin., 2004
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 8 von 37. Buch 8 von 37 - Topics in Applied Physics
- Hardcover
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2004. 16 x 24 cm. XIII, 291 S. XIII, 291 p. Hardcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. (Topics in Applied Physics). Sprache: E…nglisch.
Sprache: Englisch
Verlag: Berlin, Springer, 2004
- Hardcover
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Hardcover. C-02152 Ex-library with Stamp and Library-Signature in Good Condition, Some Traces of Use Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 550.
Weitere BilderSprache: Englisch
Verlag: Springer, 2010
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 8 von 37. Buch 8 von 37 - Topics in Applied Physics
- Softcover
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Ferroelectric Random Access Memories | Fundamentals and Applications | Hiroshi Ishiwara (u. a.) | Taschenbuch | Topics in Applied Physics | xiii | Englisch | 2010 | Springer | EAN 9783642073847 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]h…artmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2010
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 8 von 37. Buch 8 von 37 - Topics in Applied Physics
- Softcover
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Zustand: New. In.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2010
Serie: Topics in Applied Physics, Buch 8 von 37. Buch 8 von 37 - Topics in Applied Physics
- Softcover
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - In fabrication of FeRAMs, various academic and technological backgrounds are necessary, which include ferroelectric materials, thin film formation, device physics, circuit design, and so on. This book covers from fundamentals to applications of ferro…electric random access memories (FeRAMs). The book consists of 5 parts: (1) ferroelectric thin films, (2) deposition and characterization methods, (3) fabrication process and circuit design, (4) advanced-type memories, and (5) applications and future prospects; each part is further divided into several chapters. Because of the wide range of topics discussed, each chapter in this book was written by one of the best authors knowing the specific topic very well. Thus, this is a good introductory book on FeRAM for graduate students and newcomers to this field; it alsohelps specialists to understand FeRAMs more deeply.
