Isbn: 9783319374970 - arbitrary modeling of tsvs for 3d integrated circuits (analog circuits and signal processing) (5 Ergebnisse)
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2016
Serie: Buch 75 von 124 - Analog Circuits and Signal Processing
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Serie: Buch 75 von 124 - Analog Circuits and Signal Processing
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Arbitrary Modeling of TSVs for 3D Integrated Circuits | Khaled Salah (u. a.) | Taschenbuch | Analog Circuits and Signal Processing | ix | Englisch | 2016 | Springer | EAN 9783319374970 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.…
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Verlag, 2016
Serie: Buch 75 von 124 - Analog Circuits and Signal Processing
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Paperback. Zustand: Brand New. reprint edition. 192 pages. 9.25x6.10x0.46 inches. In Stock.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2016
Serie: Buch 75 von 124 - Analog Circuits and Signal Processing
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book presents a wide-band and technology independent, SPICE-compatible RLC model for through-silicon vias (TSVs) in 3D integrated circuits. This model accounts for a variety of effects, including skin effect, depletion capacitance and nearby contact effects. Readers will benefit from in-depth coverage of concepts and technology such as 3D integration, Macro modeling, dimensional analysis and compact modeling, as well as closed form equations for the through silicon via parasitics. Concepts covered are demonstrated by using TSVs in applications such as a spiral inductor and inductive-based communication system and bandpass filtering. …
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2016
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Zustand: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book presents a wide-band and technology independent, SPICE-compatible RLC model for through-silicon vias (TSVs) in 3D integrated circuits. This model accounts for a variety of effects, including skin effect, depletion capacitance and nearby contact effects. Readers will benefit from in-depth coverage of concepts and technology such as 3D integration, Macro modeling, dimensional analysis and compact modeling, as well as closed form equations for the through silicon via parasitics. Concepts covered are demonstrated by using TSVs in applications such as a spiral inductor and inductive-based communication system and bandpass filtering.…
