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9781786347152 - COUPLED DIFFUSION IMPURITY ATOMS & POINT DEFECTS SILICON von Velichko Oleg (9 Ergebnisse)
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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COUPLED DIFFUSION OF IMPURITY ATOMS AND POINT DEFECTS IN SILICON CRYSTALS
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Anbieter: Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Deutschland
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Europe Ltd, 2019
ISBN 10: 1786347156 ISBN 13: 9781786347152
Anbieter: PBShop.store US, Wood Dale, IL, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
HRD. Zustand: New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000.
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Coupled Diffusion Of Impurity Atoms And Point Defects In Silicon Crystals
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Europe Ltd, 2019
ISBN 10: 1786347156 ISBN 13: 9781786347152
Anbieter: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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In den WarenkorbHRD. Zustand: New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000.
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Zustand: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Seiten: 404 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This work presents a comprehensive theory describing atomic diffusion in silicon crystals under strong nonequilibrium conditions caused by ion implantation and interaction with the surface or other interfaces. A set of generalized equations that describe diffusion of impurity atoms and point defects are presented in a form suitable for solving numerically. Based on this theory, partial diffusion models are constructed, and the simulation of many doping processes used in microelectronics is carried out.Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals is a useful text for researchers, engineers, and advanced students in semiconductor physics, microelectronics, and nanoelectronics. It helps readers acquire a deep understanding of the physics of diffusion and demonstrates the practical application of the theoretical ideas formulated to find cheaper solutions in the course of manufacturing semiconductor devices and integrated microcircuits.
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Coupled Diffusion Impurity Atoms & Point Defects Silicon
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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In den WarenkorbZustand: New. In.
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Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Pub Co Inc, 2019
ISBN 10: 1786347156 ISBN 13: 9781786347152
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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