9780521461962 - photo-induced defects in semiconductors (cambridge studies in semiconductor physics and microelectronic engineering, 4, band 4) von david redfield , richard h. bube (8 Ergebnisse)
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press 1996
Serie: Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering, Buch 2 von 2. Buch 2 von 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
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Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press 1996
Serie: Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering, Buch 2 von 2. Buch 2 von 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
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Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press 1996
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Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press 1996
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Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press 2016
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Zustand: Gut. Zustand: Gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Photoinduced Defects in Semiconductors is the first book to give a complete overview of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors that can be created or destroyed by light.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press 1996
Serie: Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering, Buch 2 von 2. Buch 2 von 2 - Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering
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Zustand: New. A thorough review of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors. Series: Cambridge Studies in Semiconductor Physics & Microelectronic Engineering. Num Pages: 230 pages, 106 b/w illus. BIC Classification: PHFC; PHK. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 228 x 152 x 17. Weight in…Grams: 491. . 1996. Illustrated. hardcover. . . . . Books ship from the US and Ireland.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge Univ Pr 1996
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Hardcover. Zustand: Brand New. 217 pages. 9.50x6.25x0.75 inches. In Stock.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press 1996
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This is the first book to give a complete overview of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors. Such comparatively long-lived (or metastable) defects exhibit complex interactions with the surrounding material, and can significantly…affect the performance and stability of certain semiconductor devices. After an introductory discussion of metastable defects, the properties of DX and EL2 centres in III-V compounds are presented. Additional crystalline materials are also dealt with, before a detailed description is given of the properties and kinetics of photo-induced defects in amorphous semiconductors. The book closes with an examination of the effects of photo-induced defects in a range of practical applications. Throughout, unifying concepts and models are stressed, and the book will be of great use to graduate students and researchers interested in the physics and materials science of semiconductors.
