William n gill (10 Ergebnisse)
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Chemical-Mechanical Polishing of Low Dielectric Constant Polymers and Organosilicate Glasses. Fundamental Mechanisms and Application to IC Interconnect Technology.
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The Golden Age Of Science: Thirty Portraits Of The Giants Of 19Th-Century Science By Their Scientific Contemporaries
Jones, Bessie Zaban, (Editor); Dominique Francois Arago, Georges Leopold C. Cuvier, Jean B. Elie De Beaumont, Pierre Flourens, Arthur Auguste De La Rive, Nicolas Edouard Mailly, Asa Gray, Joseph Henry, August Weismann, William Gibson Farlow, Henry E. Roscoe, John Scott Burdon-Sanderson, Edwain Ray Lankester, Sylvanus P. Thompson, Arthur W. Rucker, Theodore N. Gill, Camille Matignon, Cyrus Adler, Arthur Stanley Eddington, Thomas C. Mendenhall, Andre Broca, Charles Moreau, Charles Nordmann, James Walker
Sprache: Englisch
Verlag: Simon And Schuster / Smithsonian Institution, 1966
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Chemical-Mechanical Polishing Of Low Dielectric Constant Polymers And Organosilicate Glasses (Hb)
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Chemical-mechanical Polishing Of Low Dielectric Constant Polymers And Organosilicate Glasses: Fundamental Mechanisms And Application To Ic Interconnect Technology
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Chemical-Mechanical Polishing of Low Dielectric Constant Polymers and Organosilicate Glasses: Fundamental Mechanisms and Application to IC Interconnect Technology
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Chemical-Mechanical Polishing of Low Dielectric Constant Polymers and Organosilicate Glasses: Fundamental Mechanisms and Application to IC Interconnect Technology
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Secondary Hypertension : Clinical Presentation Diagnosis, and Treatment
Mansoor, George A. (EDT); Achard, Jean-Michel (CON); Bravo, Emmanuel L. (CON); Canzanello, Vincent J. (CON); Desai, Mihir M. (CON); Gill, Inderbir S. (CON); Grossman, Ehud (CON); Kendick, William T. (CON); Kelly, John J. (CON); Kuchel, Otto (CON); Lurbe, Empar (CON); Malchoff, Carl D. (CON)
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - As semiconductor manufacturers implement copper conductors in advanced interconnect schemes, research and development efforts shift toward the selection of an insulator that can take maximum advantage of the lower power and faster signal propagation allowed by copper interconnects. One of the main challenges to integrating a low-dielectric constant (low-kappa) insulator as a replacement for silicon dioxide is the behavior of such materials during the chemical-mechanical planarization (CMP) process used in Damascene patterning. Low-kappa dielectrics tend to be softer and less chemically reactive than silicon dioxide, providing significant challenges to successful removal and planarization of such materials. The focus of this book is to merge the complex CMP models and mechanisms that have evolved in the past decade with recent experimental results with copper and low-kappa CMP to develop a comprehensive mechanism for low- and high-removal-rate processes. The result is a more in-depth look into the fundamental reaction kinetics that alter, selectively consume, and ultimately planarize a multi-material structure during Damascene patterning.…
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Zustand: New. Merges the complex chemical-mechanical planarization (CMP) models and mechanisms that have evolved over the years with experimental results with copper and low-kappa CMP to develop a comprehensive mechanism for low- and high-removal-rate processes. This book looks into the fundamental reaction kinetics. Num Pages: 229 pages, biography. BIC Classification: TDCP. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly. Dimension: 234 x 156 x 15. Weight in Grams: 532. . 2002. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.…
