Willander magnus (36 Ergebnisse)
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Verlag: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2017
Serie: Buch 10 von 14 - Selected Topics In Electronics And Systems
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Verlag: World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2017
Serie: Buch 10 von 14 - Selected Topics In Electronics And Systems
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Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Publishing Company, 2017
Serie: Buch 10 von 14 - Selected Topics In Electronics And Systems
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 340 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
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Zustand: New. In.
Sprache: Englisch
Verlag: World Scientific Pub Co Inc, 2017
Serie: Buch 10 von 14 - Selected Topics In Electronics And Systems
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Hardcover. Zustand: Brand New. 152 pages. 10.00x6.75x0.75 inches. In Stock.
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Zustand: New. LIBU MANJAKKAL, PhD, is a Lecturer at Edinburgh Napier University, UK, and was a Research Associate at James Watt School of Engineering, University of Glasgow, UK.LEANDRO LORENZELLI, PhD, is Head of the Microsystems Technology Research Unit at Fondazione Br.
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Hardcover. Zustand: Brand New. 350 pages. 9.00x6.00x0.88 inches. In Stock.
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Gebunden. Zustand: New. Magnus Willander is professor in the Department of Science and Technology at Linkoeping University, Sweden. He received his PhD in physics from the Royal Institute of Technology, Sweden, in 1984. He conducted pioneering research on Si/SiG.
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Sprache: Englisch
Verlag: William Andrew, 2020
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Zustand: Gut. Zustand: Gut | Seiten: 356 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | During the last 25 years (after the growth of the first pseudomorphic GeSi strained layers on Si by Erich Kasper in Germany) we have seen a steady accu mulation of new materials and devices with enhanced performance made pos sible by strain. 19…89-1999 have been very good years for the strained-Iayer devices. Several breakthroughs were made in the growth and doping technology of strained layers. New devices were fabricated as a results of these break throughs. Before the advent of strain layer epitaxy short wavelength (violet to green) and mid-IR (2 to 5 f. Lm) regions of the spectrum were not accessi ble to the photonic devices. Short wavelength Light Emitting Diodes (LEDs) and Laser Diodes (LDs) have now been developed using III-Nitride and II-VI strained layers. Auger recombination increases rapidly as the bandgap narrows and temperature increases. Therefore it was difficult to develop mid-IR (2 to 5 f. Lm range) lasers. The effect of strain in modifying the band-structure and suppressing the Auger recombination has been most spectacular. It is due to the strain mediated band-structure engineering that mid-IR lasers with good per formance have been fabricated in several laboratories around the world. Many devices based on strained layers have reached the market place. This book de scribes recent work on the growth, characterization and properties o(compound semiconductors strained layers and devices fabricated using them.
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - During the last 25 years (after the growth of the first pseudomorphic GeSi strained layers on Si by Erich Kasper in Germany) we have seen a steady accu mulation of new materials and devices with enhanced performance made pos sible by strain. 1989-1999 have…been very good years for the strained-Iayer devices. Several breakthroughs were made in the growth and doping technology of strained layers. New devices were fabricated as a results of these break throughs. Before the advent of strain layer epitaxy short wavelength (violet to green) and mid-IR (2 to 5 f. Lm) regions of the spectrum were not accessi ble to the photonic devices. Short wavelength Light Emitting Diodes (LEDs) and Laser Diodes (LDs) have now been developed using III-Nitride and II-VI strained layers. Auger recombination increases rapidly as the bandgap narrows and temperature increases. Therefore it was difficult to develop mid-IR (2 to 5 f. Lm range) lasers. The effect of strain in modifying the band-structure and suppressing the Auger recombination has been most spectacular. It is due to the strain mediated band-structure engineering that mid-IR lasers with good per formance have been fabricated in several laboratories around the world. Many devices based on strained layers have reached the market place. This book de scribes recent work on the growth, characterization and properties o(compound semiconductors strained layers and devices fabricated using them.
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Zustand: gut. 2000. High-Dimensional Nonlinear Diffusion Stochastic Processes: Modelling for Engineering Applications (Series on Advances in Mathematics for Applied Sciences). In deutscher Sprache. pages.
Compound Semiconductors Strained Layers and Devices (Electronic Materials Series)
Jain, Suresh (Editor) / Willander, Magnus (Editor) / Van Overstraeten, R. (Editor)
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Paperback. Zustand: Brand New. 349 pages. 9.30x6.20x0.80 inches. In Stock.
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Verlag: Elsevier Science, 2020
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Zustand: New. Provides extensive coverage of nanofabrication techniques, allowing researchers to learn different nanofabrication techniques Explores different applications for low-temperature chemical nanofabrication Cogently explains how low-t.
Compound Semiconductors Strained Layers and Devices
. Ed(s): Jain, Suresh C.; Willander, M.; Overstraeten, R. Van
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Zustand: New. Provides an overview of work done on strain, dislocations and mechanical properties of strained layers. This book discusses the effects of strain on band structure, transport, and optical properties of both the zinc blende and the wurtzite compound semiconductors, and Piezoelectric Effects and Quantum Confined Star…k Effects. Editor(s): Jain, Suresh C.; Willander, M.; Overstraeten, R. Van. Series: Electronic Materials Series. Num Pages: 349 pages, 8 black & white illustrations, biography. BIC Classification: PHK; TJFD5. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly; (UU) Undergraduate. Dimension: 234 x 156 x 20. Weight in Grams: 669. . 2000. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
