Toh ming (35 Ergebnisse)
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Verlag: Springer 2016
Serie: SpringerBriefs in Materials, Buch 43 von 68. Buch 43 von 68 - SpringerBriefs in Materials
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Verlag: Springer 2016
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Verlag: Springer Verlag 2016
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REVUE JENTAYU 2 : VILLES ET VIOLENCES
Bernice Chauly; Chen Qiufan; Colin Cheong; Tien-wen Chu; Chun-ming Hwang; Jadet Kamjorndet; Sum Kim; Moes Loindong; Charoonporn Parapakpralai; Sheena Baharudin; Sirikit Syah; Terence Toh; Tsering Norbu; Wong Phui Nam; Suvra Kanti Das
Verlag: JENTAYU 2015
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Verlag: Springer 2016
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Verlag: Springer New York 2011
Serie: Springer Series in Materials Science, Buch 34 von 233. Buch 34 von 233 - Springer Series in Materials Science
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Verlag: Springer New York 2016
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Verlag: Springer 2011
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Verlag: Springer Verlag 2011
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Pulsed and Pulsed Bias Sputtering | Principles and Applications | Toh-Ming Lu (u. a.) | Taschenbuch | xi | Englisch | 2014 | Springer US | EAN 9781461350637 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbiete…r: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Neuware - Chemical Vapor Deposition Polymerization - The Growth and Properties of Parylene Thin Films is intended to be valuable to both users and researchers of parylene thin films. It should be particularly useful for those setting up and characterizing their first research deposition system. It prov…ides a good picture of the deposition process and equipment, as well as information on system-to-system variations that is important to consider when designing a deposition system or making modifications to an existing one. Also included are methods to characterizae a deposition system's pumping properties as well as monitor the deposition process via mass spectrometry. There are many references that will lead the reader to further information on the topic being discussed. This text should serve as a useful reference source and handbook for scientists and engineers interested in depositing high quality parylene thin films.
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Verlag: Springer New York, Springer New York 2016
Serie: Springer Series in Materials Science, Buch 34 von 233. Buch 34 von 233 - Springer Series in Materials Science
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Metal-dielectric interfaces are ubiquitous in modern electronics. As advanced gigascale electronic devices continue to shrink, the stability of these interfaces is becoming an increasingly important issue that has a profound impact on the operational… reliability of these devices. In this book, the authors present the basic science underlying the thermal and electrical stability of metal-dielectric interfaces and its relationship to the operation of advanced interconnect systems in gigascale electronics. Interface phenomena, including chemical reactions between metals and dielectrics, metallic-atom diffusion, and ion drift, are discussed based on fundamental physical and chemical principles. Schematic diagrams are provided throughout the book to illustrate interface phenomena and the principles that govern them. Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics provides a unifying approach to the diverse and sometimes contradictory test results that are reported in the literature on metal-dielectric interfaces. The goal is to provide readers with a clear account of the relationship between interface science and its applications in interconnect structures. The material presented here will also be of interest to those engaged in field-effect transistor and memristor device research, as well as university researchers and industrial scientists working in the areas of electronic materials processing, semiconductor manufacturing, memory chips, and IC design.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Diffusion Barrier Stack - 5 nm -3 nm -2 nm . . . -. . . . : . . O. 21-lm Figure 2: Schematic representing a cross-sectional view of the topography that is encountered in the processing of integrated circuits. (Not to scale) these sub-micron sized fea…tures is depicted in Fig. 2. The role of the diffusion barrier is to prevent the diffusion of metallic ions into the interlayer dielectric (lLD). Depending on the technology, in particular the choice of the ILD and the metal interconnect, the diffusion barrier may be Ti, Ta, TiN, TaN, or a multi-layered structure of these materials. The adhesion of the barrier to the dielectric, the conformality of the barrier to the feature, the physical structure of the film, and the chemical composition of the film are key issues that are determined in part by the nature of the deposition process. Likewise, after the growth of the barrier, a conducting layer (the seed layer) is needed for subsequent filling of the trench by electrochemical deposition. Again, the growth process must be able to deposit a film that is continuous along the topography of the sub-micron sized features. Other factors of concern are the purity and the texture of the seed layer, as both of these factors influence the final resistivity of the metallic interconnect. Sputter-deposited coatings are also commonly employed for their electro-optical properties. For example, an electrochromic glazing is used to control the flux of light that is transmitted through a glazed material.
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Chemical Vapor Deposition Polymerization - The Growth and Properties of Parylene Thin Films is intended to be valuable to both users and researchers of parylene thin films. It should be particularly useful for those setting up and characterizing their first… research deposition system. It provides a good picture of the deposition process and equipment, as well as information on system-to-system variations that is important to consider when designing a deposition system or making modifications to an existing one. Also included are methods to characterizae a deposition system's pumping properties as well as monitor the deposition process via mass spectrometry. There are many references that will lead the reader to further information on the topic being discussed. This text should serve as a useful reference source and handbook for scientists and engineers interested in depositing high quality parylene thin films.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer 2007
Serie: Springer Series in Materials Science, Buch 16 von 233. Buch 16 von 233 - Springer Series in Materials Science
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Diffusion Barrier Stack - 5 nm -3 nm -2 nm . . . -. . . . : . . O. 21-lm Figure 2: Schematic representing a cross-sectional view of the topography that is encountered in the processing of integrated circuits. (Not to scale) these sub-micron sized features i…s depicted in Fig. 2. The role of the diffusion barrier is to prevent the diffusion of metallic ions into the interlayer dielectric (lLD). Depending on the technology, in particular the choice of the ILD and the metal interconnect, the diffusion barrier may be Ti, Ta, TiN, TaN, or a multi-layered structure of these materials. The adhesion of the barrier to the dielectric, the conformality of the barrier to the feature, the physical structure of the film, and the chemical composition of the film are key issues that are determined in part by the nature of the deposition process. Likewise, after the growth of the barrier, a conducting layer (the seed layer) is needed for subsequent filling of the trench by electrochemical deposition. Again, the growth process must be able to deposit a film that is continuous along the topography of the sub-micron sized features. Other factors of concern are the purity and the texture of the seed layer, as both of these factors influence the final resistivity of the metallic interconnect. Sputter-deposited coatings are also commonly employed for their electro-optical properties. For example, an electrochromic glazing is used to control the flux of light that is transmitted through a glazed material.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer New York, Springer US 2011
Serie: Springer Series in Materials Science, Buch 34 von 233. Buch 34 von 233 - Springer Series in Materials Science
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Metal-dielectric interfaces are ubiquitous in modern electronics. As advanced gigascale electronic devices continue to shrink, the stability of these interfaces is becoming an increasingly important issue that has a profound impact on the operational reliab…ility of these devices. In this book, the authors present the basic science underlying the thermal and electrical stability of metal-dielectric interfaces and its relationship to the operation of advanced interconnect systems in gigascale electronics. Interface phenomena, including chemical reactions between metals and dielectrics, metallic-atom diffusion, and ion drift, are discussed based on fundamental physical and chemical principles. Schematic diagrams are provided throughout the book to illustrate interface phenomena and the principles that govern them. Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics provides a unifying approach to the diverse and sometimes contradictory test results that are reported in the literature on metal-dielectric interfaces. The goal is to provide readers with a clear account of the relationship between interface science and its applications in interconnect structures. The material presented here will also be of interest to those engaged in field-effect transistor and memristor device research, as well as university researchers and industrial scientists working in the areas of electronic materials processing, semiconductor manufacturing, memory chips, and IC design.
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This unique book covers the fundamental principle of electron diffraction, basic instrumentation of RHEED, definitions of textures in thin films and nanostructures, mechanisms and control of texture formation, and examples of RHEED transmission mode measure…ments of texture and texture evolution of thin films and nanostructures. Also presented is a new application of RHEED in the transmission mode called RHEED pole figure technique that can be used to monitor the texture evolution in thin film growth and nanostructures and is not limited to single crystal epitaxial film growth. Details of the construction of RHEED pole figures and the interpretation of observed pole figures are presented. Materials covered include metals, semiconductors, and thin insulators. This book also:Presents a new application of RHEED in the transmission mode Introduces a variety of textures from metals, semiconductors, compound semiconductors, and their characteristics in RHEED pole figures Provides examples of RHEED measurements of texture and texture evolution, construction of RHEED pole figures, and interpretation of observed pole figuresRHEED Transmission Mode and Pole Figures: Thin Film and Nanostructure Texture Analysis is ideal for researchers in materials science and engineering and nanotechnology.
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Anbieter: Buchpark, Trebbin, DeutschlandBuchpark
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EUR 103,83
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 386 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer US 2010
Serie: Springer Series in Materials Science, Buch 16 von 233. Buch 16 von 233 - Springer Series in Materials Science
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Evolution of Thin Film Morphology | Modeling and Simulations | Toh-Ming Lu (u. a.) | Taschenbuch | xi | Englisch | 2010 | Springer US | EAN 9781441925800 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter:…preigu.
