Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer International Publishing, 2020
ISBN 10: 3030306577 ISBN 13: 9783030306571
Anbieter: moluna, Greven, Deutschland
EUR 92,27
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In den WarenkorbKartoniert / Broschiert. Zustand: New.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer International Publishing, 2019
ISBN 10: 3030306542 ISBN 13: 9783030306540
Anbieter: moluna, Greven, Deutschland
EUR 92,27
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Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
EUR 153,87
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. reprint edition. 192 pages. 9.25x6.10x0.44 inches. In Stock.
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 194 pages. 9.25x6.10x0.47 inches. In Stock.
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
EUR 156,54
Anzahl: 2 verfügbar
In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 232 pages. 9.25x6.10x0.75 inches. In Stock.
Anbieter: preigu, Osnabrück, Deutschland
Taschenbuch. Zustand: Neu. Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT | Yabin Sun | Taschenbuch | Springer Theses | xxiv | Englisch | 2019 | Springer | EAN 9789811351815 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Nature Singapore, Springer Nature Singapore, 2017
ISBN 10: 9811046115 ISBN 13: 9789811046117
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs). It introduces the small-signal equivalent circuit of SiGe HBTs including the distributed effects, and proposes a novel direct analytical extraction technique based on non-linear rational function fitting. It also presents the total dose effects irradiated by gamma rays and heavy ions, as well as the single-event transient induced by pulse laser microbeams. It offers readers essential information on the irradiation effects technique and the SiGe HBTs model using that technique.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs). It introduces the small-signal equivalent circuit of SiGe HBTs including the distributed effects, and proposes a novel direct analytical extraction technique based on non-linear rational function fitting. It also presents the total dose effects irradiated by gamma rays and heavy ions, as well as the single-event transient induced by pulse laser microbeams. It offers readers essential information on the irradiation effects technique and the SiGe HBTs model using that technique.