Sheldon tan (39 Ergebnisse)
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Humanizing Disability in Mathematics Education Forging New Paths
Paulo Tan (author), Alexis Padilla (author), Erica N. Mason (author) & James Sheldon (author)
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XLI, 460 p. Hardcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Sprache: Englisch.
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Zustand: New. An introduction to key model order reduction techniques in linear circuits, using real-world examples to illustrate advantages and disadvantages. Num Pages: 260 pages, black & white illustrations. BIC Classification: THR; TJF. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 172 x 246 x 16. Weight in Grams: 454.… . 2012. Paperback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Model order reduction (MOR) techniques reduce the complexity of VLSI designs, paving the way to higher operating speeds and smaller feature sizes. This book presents a systematic introduction to, and treatment of, the key MOR methods employed in gene…ral linear circuits, using real-world examples to illustrate the advantages and disadvantages of each algorithm. Following a review of traditional projection-based techniques, coverage progresses to more advanced MOR methods for VLSI design, including HMOR, passive truncated balanced realization (TBR) methods, efficient inductance modeling via the VPEC model, and structure-preserving MOR techniques. Where possible, numerical methods are approached from the CAD engineer's perspective, avoiding complex mathematics and allowing the reader to take on real design problems and develop more effective tools. With practical examples and over 100 illustrations, this book is suitable for researchers and graduate students of electrical and computer engineering, as well as practitioners working in the VLSI design industry.
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Long-Term Reliability of Nanometer VLSI Systems: Modeling, Analysis and Optimization
Tan, Sheldon; Tahoori, Mehdi; Kim, Taeyoung; Wang, Shengcheng; Sun, Zeyu; Kiamehr, Saman
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Long-Term Reliability of Nanometer VLSI Systems: Modeling, Analysis and Optimization
Tan, Sheldon; Tahoori, Mehdi; Kim, Taeyoung; Wang, Shengcheng; Sun, Zeyu; Kiamehr, Saman
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Zustand: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Seiten: 336 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Since process variation and chip performance uncertainties have become more pronounced as technologies scale down into the nanometer regime, accurate and efficient modeling or characterization of variations from the device to th…e architecture level have become imperative for the successful design of VLSI chips.This book provides readers with tools for variation-aware design methodologies and computer-aided design (CAD) of VLSI systems, in the presence of process variations at the nanometer scale. It presents the latest developments for modeling and analysis, with a focus on statistical interconnect modeling, statistical parasitic extractions, statistical full-chip leakage and dynamic power analysis considering spatial correlations, statistical analysis and modeling for large global interconnects and analog/mixed-signal circuits. Provides readers with timely, systematic and comprehensive treatments of statistical modeling and analysis of VLSI systems with a focus on interconnects, on-chip power grids and clock networks, and analog/mixed-signal circuits;Helps chip designers understand the potential and limitations of their design tools, improving their design productivity;Presents analysis of each algorithm with practical applications in the context of real circuit design;Includes numerical examples for the quantitative analysis and evaluation of algorithms presented. Provides readers with timely, systematic and comprehensive treatments of statistical modeling and analysis of VLSI systems with a focus on interconnects, on-chip power grids and clock networks, and analog/mixed-signal circuits;Helps chip designers understand the potential and limitations of their design tools, improving their design productivity;Presents analysis of each algorithm with practical applications in thecontext of real circuit design;Includes numerical examples for the quantitative analysis and evaluation of algorithms presented.
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Zustand: New. pp. 320 161 Illus. (35 Col.).
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Long-Term Reliability of Nanometer VLSI Systems | Modeling, Analysis and Optimization | Sheldon Tan (u. a.) | Taschenbuch | xli | Englisch | 2020 | Springer International Publishing | EAN 9783030261740 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juerg…en[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer International Publishing, Springer International Publishing 2020
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Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, DeutschlandAHA-BUCH GmbH
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides readers with a detailed reference regarding two of the most important long-term reliability and aging effects on nanometer integrated systems, electromigrations (EM) for interconnect and biased temperature instability (BTI) for CMO…S devices. The authors discuss in detail recent developments in the modeling, analysis and optimization of the reliability effects from EM and BTI induced failures at the circuit, architecture and system levels of abstraction. Readers will benefit from a focus on topics such as recently developed, physics-based EM modeling, EM modeling for multi-segment wires, new EM-aware power grid analysis, and system level EM-induced reliability optimization and management techniques.Reviews classic Electromigration (EM) models, as well as existing EM failure models and discusses the limitations of those models;Introduces a dynamic EM model to address transient stress evolution, in which wires are stressed under time-varying current flows, and the EM recovery effects. Also includes new, parameterized equivalent DC current based EM models to address the recovery and transient effects;Presents a cross-layer approach to transistor aging modeling, analysis and mitigation, spanning multiple abstraction levels;Equips readers for EM-induced dynamic reliability management and energy or lifetime optimization techniques, for many-core dark silicon microprocessors, embedded systems, lower power many-core processors and datacenters.
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EUR 120,96
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 320 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book provides comprehensive coverage of the recent advances in symbolic analysis techniques for design automation of nanometer VLSI systems. The presentation is organized in parts of fundamentals, basic implementation methods and a…pplications for VLSI design. Topics emphasized include statistical timing and crosstalk analysis, statistical and parallel analysis, performance bound analysis and behavioral modeling for analog integrated circuits. Among the recent advances, the Binary Decision Diagram (BDD) based approaches are studied in depth. The BDD-based hierarchical symbolic analysis approaches, have essentially broken the analog circuit size barrier.
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides readers with a detailed reference regarding two of the most important long-term reliability and aging effects on nanometer integrated systems, electromigrations (EM) for interconnect and biased temperature instability (BTI) for CMOS devic…es. The authors discuss in detail recent developments in the modeling, analysis and optimization of the reliability effects from EM and BTI induced failures at the circuit, architecture and system levels of abstraction. Readers will benefit from a focus on topics such as recently developed, physics-based EM modeling, EM modeling for multi-segment wires, new EM-aware power grid analysis, and system level EM-induced reliability optimization and management techniques.Reviews classic Electromigration (EM) models, as well as existing EM failure models and discusses the limitations of those models;Introduces a dynamic EM model to address transient stress evolution, in which wires are stressed under time-varying current flows, and the EM recovery effects. Also includes new, parameterized equivalent DC current based EM models to address the recovery and transient effects;Presents a cross-layer approach to transistor aging modeling, analysis and mitigation, spanning multiple abstraction levels;Equips readers for EM-induced dynamic reliability management and energy or lifetime optimization techniques, for many-core dark silicon microprocessors, embedded systems, lower power many-core processors and datacenters.
