Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
EUR 17,43
Anzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. In.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 110741329X ISBN 13: 9781107413290
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
EUR 36,90
Anzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. In.
Anbieter: Reuseabook, Gloucester, GLOS, Vereinigtes Königreich
EUR 52,91
Anzahl: 1 verfügbar
In den WarenkorbHardcover. Zustand: Used; Very Good. Dispatched, from the UK, within 48 hours of ordering. Though second-hand, the book is still in very good shape. Minimal signs of usage may include very minor creasing on the cover or on the spine.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 110741329X ISBN 13: 9781107413290
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
Zustand: New.
ISBN 10: 9020022008 ISBN 13: 9789020022001
Anbieter: Kloof Booksellers & Scientia Verlag, Amsterdam, Niederlande
Zustand: very good. 2e geheel herziene druk. Deventer : Kluwer, 1999. Paperback. xv,218 pp. Condition : very good copy. ISBN 9789020022001. Keywords : RECHT,
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2014
ISBN 10: 110741329X ISBN 13: 9781107413290
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book on gallium nitride (GaN) and associated materials focuses on advances in basic science, as well as the rapidly maturing technologies involving blue/green light emitters, detectors and high-power electronics. A highlight is a report on wide-bandgap semiconductor research done in Europe. Also reported is the commercialization of a laser operating at 405nm wavelength with a 4000-hour device lifetime. At 450nm emission wavelength, significant reductions in lifetime were found, and are believed to arise from nonideal properties of the InGaN alloy used in the active layer of the device. Additional topics include: the significant success of transistors for microwave applications; improvements in the epitaxy of GaN, using both selective area growth techniques (lateral epitaxy overgrowth) and introducing low-temperature intralayers in the films; advances in both molecular beam epitaxy and metal-organic vapor phase epitaxy, including several studies of quantum dot formation in strained alloys and improvements in hydride vapor phase epitaxy, particularly for providing very thick films.
Sprache: Englisch
Verlag: Cambridge University Press, 2012
ISBN 10: 110741329X ISBN 13: 9781107413290
Anbieter: Buchpark, Trebbin, Deutschland
Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 1052 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners.
Sprache: Niederländisch
Verlag: Doetinchem Elsevier, 2006
Anbieter: Antiquariat carpe diem, Monika Geyer, Bocholt, Deutschland
Erstausgabe
4°, XII, 291Seiten. mit vielen, teils farbigen Abbildungen und Photos. Illustrierter Orig.Pappband. Mit Literaturangaben und Register. - Unteres Kapital minimal bestoßen, Gewicht (Gramm): 1200.