Rumyantsev sergey (23 Ergebnisse)
Sprache: Englisch
Verlag: Routledge, 2026
Serie: Buch 110 von 121 - Routledge Contemporary Russia and Eastern Europe
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Verlag: Routledge, 2026
Serie: Buch 110 von 121 - Routledge Contemporary Russia and Eastern Europe
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Sprache: Englisch
Verlag: Routledge, 2026
Serie: Buch 110 von 121 - Routledge Contemporary Russia and Eastern Europe
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Zustand: New. pp. 370.
Sprache: Englisch
Verlag: Routledge, 2025
Serie: Buch 110 von 121 - Routledge Contemporary Russia and Eastern Europe
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Sprache: Englisch
Verlag: Routledge, 2026
Serie: Buch 110 von 121 - Routledge Contemporary Russia and Eastern Europe
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Sprache: Englisch
Verlag: Taylor & Francis Ltd, 2026
Serie: Buch 110 von 121 - Routledge Contemporary Russia and Eastern Europe
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Sprache: Englisch
Verlag: Taylor & Francis, 2026
Serie: Buch 110 von 121 - Routledge Contemporary Russia and Eastern Europe
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Zustand: New. Sergey Rumyansev is a sociologist. In 2003-2014, he was a Research Fellow at the Institute of Philosophy, Sociology and Law of the Azerbaijan National Academy of Sciences (Baku). Since 2015, he is a co-founder of Centre for Independent Social Rese.
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Zustand: Good. This is an ex-library book and may have the usual library/used-book markings inside.This book has hardback covers. In good all round condition. No dust jacket. Please note the Image in this listing is a stock photo and may not match the covers of the actual item,550grams, ISBN:0471358274. …
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Sprache: Englisch
Verlag: Taylor & Francis Ltd (Sales) Jul 2026, 2026
Serie: Buch 110 von 121 - Routledge Contemporary Russia and Eastern Europe
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 344 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | After many years of research and development, silicon carbide has emerged as one of the most important wide band gap semiconductors. The first commercial SIC devices--power switching Schottky diodes and high temperature MESFETs--are now on the market This two-volume book gives a comprehensive, up-to-date review of silicon carbide materials properties and devices. With contributions by recognized leaders in SiC technology and materials and device research.…
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Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, A1N, InN, BN, SiC, SiGe
Levinshtein, M. E. (Editor)/ Rumyantsev, Serguey L. (Editor)/ Shur, Michael (Editor)
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Zustand: New. Several advanced semiconductor materials are now in the forefront of semiconductor research. These materials include different polytypes of SiC, SiGe alloys, and nitrides, such as GaN, InN, AIN, and BN. Each of these materials has many applications in the power industry, microwave industry, consumer products, medicine, and defense. Editor(s): Levinshtein, Michael E.; Rumyantsev, Sergey L.; Shur, Michael S. Num Pages: 216 pages, Ill. BIC Classification: PHFC; TJFD5. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly; (UU) Undergraduate; (XV) Technical / Manuals. Dimension: 164 x 243 x 17. Weight in Grams: 468. . 2001. 1st. Hardcover. . . . . Books ship from the US and Ireland.…
Sprache: Englisch
Verlag: Routledge, 2025
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Verlag: Routledge, 2025
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Verlag: Routledge, 2025
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Verlag: Routledge, 2025
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Hardcover. Zustand: Brand New. 352 pages. 9.18x6.12x9.21 inches. In Stock.
