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Verlag: Vieweg / Pergamon Press, Braunschweig / Headington, 1974
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Verlag: Vieweg / Pergamon Press, Braunschweig / Headington, 1975
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Paperback. Zustand: Brand New. 404 pages. 8.75x6.25x0.91 inches. In Stock.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This review of the properties of hydrogen in crystalline semiconductors emphasizes the ways in which hydrogen is incorporated during crystal growth and device fabrication, an area of tremendous practical importance. It is the first monograph covering… the properties of hydrogen as an impurity in detail, and will be of interest to all those involved in device physics and semiconductor research and development.
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Hardcover. Zustand: Gut. 310 Seiten Guter Zustand/ Good With figures and tables. Ex-Library. ha1042611 Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 850.
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Hardcover. Zustand: Gut. 310 Seiten Guter Zustand/ Good With figures and tables. Ex-Library. ha1034313 Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 600.
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 376 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This monograph arose out of the recognition of the importance of hydrogen in modern semiconductor technology. Hydrogen is a component of most chemicals used in the fabrication of electronic and photonic devices, is easily incorporated i…nto semiconductors and it is a model impurity for studying defect reactions in solids. While writing this volume we have received a good deal of encourage ment from our colleagues at AT&T Bell Laboratories, State University of New York at Albany and Lehigh University, and from collaborators at other institutions: to them we extend our sincere appreciation. In particular we would like to thank W. e. Dautremont-Smith, J. Lopata, V. Swamina than, K. Bergman, L. e. Synder, P. Deak, J. T. Borenstein, T. S. Shi, D. Tul chinsky, G. G. DeLeo, W. B. Fowler, G. D. Watkins and D. Kozuch for their crucial contributions to this work. We would also like to thank Mrs. Danuta Sowinska-Kahn for her unfailing expertise in preparing much of the art work. Finally we owe a great debt to Helmut Lotsch of Springer-Verlag for his initial suggestion to write this book and then his patient and professional guidance in seeing the project to fruition. Murray Hill, NJ S. J. Pearton Albany, NY J. w. Corbett Bethlehem, P A M. Stavola October 1991 v Contents 1. Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2. Hydrogen Incorporation in Crystalline Semiconductors 4 2. l Techniques for Hydrogen Incorporation in Semiconductors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 2. 1. 1 Hydrogen Plasma Exposure. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 2. l. 2 Hydrogen Implantation . . . . . . .
Verlag: Pergamon / Vieweg, 1974
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