Patrick fay (16 Ergebnisse)
Sprache: Englisch
Verlag: CreateSpace Independent Publishing Platform, 2013
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paperback. Zustand: Very Good. Same / next day dispatch (Monday - Friday).
Verlag: L'Athanor, Paris, 1978
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Broché. Zustand: Etat moyen. in-8 Description :181 pp. Marges jaunies. Couverture frottée avec des accrocs et pliures. Langue : Français Nb de volumes : 1.
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Semiconductor Devices and Technologies for Future Ultra Low Power Electronics
Nirmal, D. (Editor)/ Ajayan, J. (Editor)/ Fay, Patrick J. (Editor)
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Paperback. Zustand: Brand New. 302 pages. 9.18x6.12x9.21 inches. In Stock.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. High-Frequency GaN Electronic Devices | Patrick Fay (u. a.) | Taschenbuch | viii | Englisch | 2020 | Springer | EAN 9783030202101 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book brings together recent research by scientists and device engineers working on both aggressively-scaled conventional transistors as well as unconventional high-frequency device concepts in the III-N material system. Device concepts for mm-wa…ve to THz operation based on deeply-scaled HEMTs, as well as distributed device designs based on plasma-wave propagation in polarization-induced 2DEG channels, tunneling, and hot-carrier injection are discussed in detail. In addition, advances in the underlying materials science that enable these demonstrations, and advancements in metrology that permit the accurate characterization and evaluation of these emerging device concepts are also included. Targeting readers looking to push the envelope in GaN-based electronics device research, this book provides a current, comprehensive treatment of device concepts and physical phenomenology suitable for applying GaN and related materials to emerging ultra-high-frequency applications.Offers readers an integrated treatment of the state of the art in both conventional (i.e., HEMT) scaling as well as unconventional device architectures suitable for amplification and signal generation in the mm-wave and THz regime using GaN-based devices, written by authors that are active and widely-known experts in the field;Discusses both conventional scaled HEMTs (into the deep mm-wave) as well as unconventional approaches to address the mm-wave and THz regimes;Provides 'vertically integrated' coverage, including materials science that enables these recent advances, as well as device physics & design, and metrology techniques;Includes fundamental physics, as well as numerical simulations and experimental realizations.
- Hardcover
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes KönigreichMajestic Books
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Zustand: New.
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Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, DeutschlandAHA-BUCH GmbH
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book brings together recent research by scientists and device engineers working on both aggressively-scaled conventional transistors as well as unconventional high-frequency device concepts in the III-N material system. Device concepts for mm-wave to T…Hz operation based on deeply-scaled HEMTs, as well as distributed device designs based on plasma-wave propagation in polarization-induced 2DEG channels, tunneling, and hot-carrier injection are discussed in detail. In addition, advances in the underlying materials science that enable these demonstrations, and advancements in metrology that permit the accurate characterization and evaluation of these emerging device concepts are also included. Targeting readers looking to push the envelope in GaN-based electronics device research, this book provides a current, comprehensive treatment of device concepts and physical phenomenology suitable for applying GaN and related materials to emerging ultra-high-frequency applications.Offers readers an integrated treatment of the state of the art in both conventional (i.e., HEMT) scaling as well as unconventional device architectures suitable for amplification and signal generation in the mm-wave and THz regime using GaN-based devices, written by authors that are active and widely-known experts in the field;Discusses both conventional scaled HEMTs (into the deep mm-wave) as well as unconventional approaches to address the mm-wave and THz regimes;Provides 'vertically integrated' coverage, including materials science that enables these recent advances, as well as device physics & design, and metrology techniques;Includes fundamental physics, as well as numerical simulations and experimental realizations.
- Hardcover
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes KönigreichRia Christie Collections
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EUR 248,78
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Zustand: New. In.
High-Frequency GaN Electronic Devices
Fay, Patrick (Edited by)/ Jena, Debdeep (Edited by)/ Maki, Paul (Edited by)
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Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes KönigreichRevaluation Books
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Hardcover. Zustand: Brand New. 320 pages. 9.25x6.10x0.83 inches. In Stock.
Semiconductor Devices and Technologies for Future Ultra Low Power Electronics
Nirmal, D. (Editor)/ Ajayan, J. (Editor)/ Fay, Patrick (Editor)
- Hardcover
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes KönigreichRevaluation Books
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EUR 327,42
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Hardcover. Zustand: Brand New. 328 pages. 9.50x6.25x0.75 inches. In Stock.
Weitere BilderVerlag: Arkwright Arts Trust / Camden Arts Centre, London, 1981
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Anbieter: David Bunnett Books, London, Vereinigtes KönigreichDavid Bunnett Books
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EUR 24,58 VersandVersand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 1 verfügbar
SOFTCOVER. Zustand: Fine. 1st Edition. A quite hefty catalogue for 8 exhibitions held at different locations in Camden starting from 29 September to 22 November 1981 of artists who live and work in Camden. Each gets 2 pages of brief bio, a b/w photo portrait and one full page b/w reproduction of their work. Square 4to size, unpa…ginated, approx. 160pp on stiff paper . [CONDITION: A well preserved FINE clean and tight unmarked copy. Scarce ] . . . We always ship in STRONG PROTECTIVE CARD PARCELS.
