Park eun sung (44 Ergebnisse)
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Paperback. Zustand: Brand New. 168 pages. 10.00x7.50x0.25 inches. In Stock. Choi, Woo Bin (illustrator).
Sprache: Englisch
Verlag: Dordrecht, Springer., 2016
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Sprache: Englisch
Verlag: Singapore, Springer., 2020
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2nd ed. 2020. XIV, 425 p. Hardcover. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Topics in Applied Physics, 131. Sprache: Englisch.
Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories. Device Physics and Applications.
Park, Byung-Eun/Ishiwara, Hiroshi/Okuyama, Masanori/Sakai, Shigeki/Yoon, Sung-Min (Hrsg.)
Sprache: Englisch
Verlag: Singapore, Springer Singapore., 2021
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2nd ed. 2020. 16 x 24 cm. XIV, 425 S. XIV, 425 p. 313 illus., 183 illus. in color. Softcover (Topics in Applied Physics). Sprache: Englisch.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2016
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Hardcover. Zustand: Gut. 347 S. Ex-library with stamp and library-signature in good condition, some traces of use. C-00991 9789402408393 Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 550.
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Verlag: Routledge, 2018
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Verlag: Multilingual Matters Ltd, 2007
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Verlag: Routledge, 2018
Serie: Buch 18 von 38 - Routledge Critical Studies in Asian Education
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Paperback. Zustand: Brand New. 208 pages. 9.21x6.14x0.47 inches. In Stock.
Sprache: Englisch
Verlag: Taylor & Francis, 2018
Serie: Buch 18 von 38 - Routledge Critical Studies in Asian Education
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Kartoniert / Broschiert. Zustand: New. Eun Sung Park is Associate Professor in the Department of English Literature & Linguistics at Sogang University, Seoul, Korea.Bernard Spolsky is Professor Emeritus in the Department of English at Bar-Ilan University, Israel.
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Zustand: New. Joowon Suh is Senior Lecturer and Director of the Korean Language Program in the Department of East Asian Languages and Cultures at Columbia University. She coauthored the KLEAR Integrated Korean Workbook series and revised its Te.
Sprache: Englisch
Verlag: SPRINGER NATURE, 2016
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 347 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
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Verlag: Taylor & Francis Ltd Aug 2018, 2018
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Neuware.
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Verlag: Multilingual Matters Ltd, 2007
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Hardcover. Zustand: Brand New. 256 pages. 8.25x5.75x0.75 inches. In Stock.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Neuware - With the international rise of K-pop culture, this analysis of BTS and the languages surrounding and related to their music, fans, and media content provides a unique look into how languages are localized, hybridized, and utilized beyond popular entertainment.Drawing on a wide range of data,…the book examines various BTS-related content, from their music to the content generated by both BTS themselves and their fans. Chapters explore key sociolinguistic issues using BTS's language as data, including their songs, lyrics, tweets, and interviews, and languages of BTS consumers, including fan interactions, reaction videos, commercials, as well as BTS-inspired signs and sounds in public places. With their phenomenal success in the global music market and ever-dominant presence on social media, BTS has inspired scholarly interest in academic fields such as culture and media studies, musicology, sociology, and business marketing, shedding light on effective communication and innovative language use.As the very first scholarly collection on BTS-related language, this book will be of interest to students and scholars studying language use and communication, including linguistic hybridity, multimodality, translanguaging practices, and multilingual communication.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2021
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Zustand: New. In.
Internal Limiting Membrane Surgery
Lee, Ji Eun (Author)/ Byon, Ik Soo (Author)/ Park, Sung Who (Author)
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Hardcover. Zustand: Brand New. 1st reprint edition. 105 pages. 10.00x7.25x0.50 inches. In Stock.
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Verlag: Springer, 2018
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories | Device Physics and Applications | Byung-Eun Park (u. a.) | Taschenbuch | xviii | Englisch | 2018 | Springer | EAN 9789402414165 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]s…pringer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Verlag: Springer, 2018
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric me…mory has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact. Among the various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has progressed most actively since the late 1980s and has achieved modest mass production levels for specific applications since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time.This book aims to provide readers with the development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass or plastic substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2020
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric memory ha…s interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact.Among various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has been most actively progressed since the late 1980s and reached modest mass production for specific application since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims the ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time. This book aims to provide the readers with development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass, plastic or paper substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.
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Verlag: Springer, 2021
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories | Device Physics and Applications | Byung-Eun Park (u. a.) | Taschenbuch | Topics in Applied Physics | xiv | Englisch | 2021 | Springer | EAN 9789811512148 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg,… juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Verlag: Springer, 2018
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Verlag: Routledge, 2017
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer, Springer, 2021
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric me…mory has interesting fundamental device physics and potentially large industrial impact.Among various applications of ferroelectric thin films, the development of nonvolatile ferroelectric random access memory (FeRAM) has been most actively progressed since the late 1980s and reached modest mass production for specific application since 1995. There are two types of memory cells in ferroelectric nonvolatile memories. One is the capacitor-type FeRAM and the other is the field-effect transistor (FET)-type FeRAM. Although the FET-type FeRAM claims the ultimate scalability and nondestructive readout characteristics, the capacitor-type FeRAMs have been the main interest for the major semiconductor memory companies, because the ferroelectric FET has fatal handicaps of cross-talk for random accessibility and short retention time. This book aims to provide the readers with development history, technical issues, fabrication methodologies, and promising applications of FET-type ferroelectric memory devices, presenting a comprehensive review of past, present, and future technologies. The topics discussed will lead to further advances in large-area electronics implemented on glass, plastic or paper substrates as well as in conventional Si electronics.The book is composed of chapters written by leading researchers in ferroelectric materials and related device technologies, including oxide and organic ferroelectric thin films.
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Verlag: Springer Nature, 2021
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Paperback. Zustand: Brand New. 2nd edition. 439 pages. 9.25x6.10x1.06 inches. In Stock.
