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Wide Bandgap Based Devices: Design, Fabrication and Applications
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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Gallium Nitride Gan Physics Dev
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
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Conception et réalisation de transistors à effet de champ à 94 GHz: Transistors sur substrat InP pour amplification de puissance en bande W (Omn.Univ.Europ.) (French Edition)
Sprache: Französisch
Verlag: Editions universitaires europeennes, 2011
ISBN 10: 6131504326 ISBN 13: 9786131504327
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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In den WarenkorbKartoniert / Broschiert. Zustand: New. Farid Medjdoub is a CNRS senior scientist at IEMN in France. He earned his Ph.D in electrical engineering from the University of Lille in 2004, and worked as a research associate at the University of Ulm in Germany before joining IMEC. M.
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Gallium Nitride (Gan): Physics, Devices, and Technology
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. 388 pages. 9.21x6.14x0.87 inches. In Stock.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Gallium Nitride (GaN) | Physics, Devices, and Technology | Farid Medjdoub | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Englisch | 2017 | CRC Press | EAN 9781138893351 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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Gallium Nitride (GaN): Physics, Devices, and Technology (Devices, Circuits, and Systems)
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 328,63
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In den WarenkorbZustand: New. In.
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Gallium Nitride (GaN): Physics, Devices, and Technology
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 418,82
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 408 pages. 9.33x6.50x1.10 inches. In Stock.
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Conception et réalisation de transistors à effet de champ à 94 GHz
Sprache: Französisch
Verlag: Éditions universitaires européennes, 2011
ISBN 10: 6131504326 ISBN 13: 9786131504327
EUR 48,50
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Conception et réalisation de transistors à effet de champ à 94 GHz | Transistors sur substrat InP pour amplification de puissance en bande W
Sprache: Französisch
Verlag: Éditions universitaires européennes, 2011
ISBN 10: 6131504326 ISBN 13: 9786131504327
Taschenbuch. Zustand: Neu. Conception et réalisation de transistors à effet de champ à 94 GHz | Transistors sur substrat InP pour amplification de puissance en bande W | Farid Medjdoub | Taschenbuch | 176 S. | Französisch | 2011 | Éditions universitaires européennes | EAN 9786131504327 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
