James a fellows (3 Ergebnisse)
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Zustand: New. KlappentextrnrnA comprehensive and systematic electrical activation study of Si-implanted gallium nitride (GaN) was performed as a function of ion implantation dose, anneal temperature, and implantation temperature. Additionally, acceptor-implan.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Neuware - A comprehensive and systematic electrical activation study of Si-implanted gallium nitride (GaN) was performed as a function of ion implantation dose, anneal temperature, and implantation temperature. Additionally, acceptor-implanted GaN was also investigated. Temperature-dependent Hall effect measurements from 10-800 K and photoluminescence (PL) spectra taken from 3-300 K were used to characterize the samples. GaN wafers capped with 500 A1N were implanted at room temperature and at 800 oC with 200 keV Si ions at doses ranging from 1x1013 to 5x1015 cm-2 and annealed from 1050 to 1350 oC for 5 min to 17 sec in a flowing nitrogen environment. …
