Gary l harris (24 Ergebnisse)
Chasing 100: How to Surpass Your Limits and Master the Art of Reaching Full Potential
Henriquez, Andy; Payne-Butler, Althea; Harris, Angeleen; Nicholas, LAc, Brian H.; Josie, Charese L.; Thorne, MDiv, Darlene L.; Jefferies, Dashana; Beattie, Elaine Robinson; Cunegin, Fredricia; Hibbs, Gary
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Instant Insights: Managing arthropod pests in cereals (Burleigh Dodds Science: Instant Insights, 86)
Harris, Dr Marion O.; Anderson, Kirk; El-Bouhssini, M; Peairs, Frank; Hein, Professor Gary L.; Xu, Steven; Hodgson, Dr Erin W.; Dean, Dr Ashley N.; Huseth, Dr Anders; Hutchison, Prof. William D.; Eigenbrode, Prof. Sanford D.; Adhikari, Dr Subodh; Rashed, Dr Arash
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Instant Insights: Mite pests in agriculture (Burleigh Dodds Science: Instant Insights, 28)
Liburd, Prof Oscar E.; Lopez, Dr Lorena; Carrillo, Dr Daniel; M. Revynthi, Dr Alexandra; Olaniyi, Dr Omotola; Akyazi, Dr Rana; Schmidt-Jeffris, Dr Rebecca A.; Beers, Dr Elizabeth H.; Duso, Dr Carlo; Srinivasan, Dr R.; Harris, Dr Marion O.; Anderson, Kirk; El-Bouhssini, M; Peairs, Frank; Hein, Professor Gary L.; Xu, Steven
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Amorphous and crystalline silicon carbide IV. Proceedings of the 4th International Conference, Santa Clara, CA, October 9 - 11, 1991.
International Conference on Amorphous and Crystalline Silicon Carbide and Other IV-IV Materials:
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Amorphous and Crystalline Silicon Carbide III: And Other Group IV - IV Materials. Proceedings of the 3rd International Conference, Howard University, Washington, D. C., April 11 - 13, 1990
Harris, Gary L. (Editor) / Spencer, Michael G. (Editor) / Yang, Cary Y.-W. (Editor)
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Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV: Proceedings of the 4th International Conference, Santa Clara, CA, October 9 11, 1991 (Springer Proceedings in Physics)
Yang, Cary Y. (Editor) / Rahman, M.Mahmudur (Editor) / Harris, Gary L. (Editor)
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Although silicon carbide has been used for more than half a century, its potential as a high-temperature, corrosion-resistant semiconductor has only recently begun to be exploited. Both crystalline and amorphous forms of SiC offer several advantages…over Si, GaAs, and InP for high-frequency, high-power, and high-speed circuits. This volume contains reports on high-temperature SiC MOSFETs and MESFETs, secondary harmonic generation in SiC, a-SiC emitter heterojunction bipolar transistors, and bulk crystal growth of 6H-SiC. For newcomers to the field it provides an up-to-date review of technological developments in SiC and related materials, while specialists will find here recent references and new insights into materials for high-temperature, high-power, and high-speed circuit applications.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This volume contains written versions of the papers presented at the Second Inter national Conference on Amorphous and Crystalline Silicon Carbide and Related Materials (ICACSC 1988), which was held at Santa Clara University on Decem ber 15 and 16, 1…988. The conference followed the First ICACSC held at Howard University, Washington DC, in December 1987 and continued to provide an in ternational forum for discussion and exchange of ideas and results covering the current status of research on SiC and related materials. ICACSC 1988 attracted 105 participants from five countries. The substantial increase in the number of papers compared with the previous year is an indication of the growing interest in this field. Of the 45 papers presented at the conference, 36 refereed manuscripts are included in this volume, while the remaining 9 appear as abstracts. The six invited papers provide detailed reviews of recent results on amorphous and crystalline silicon carbide materials and devices, as well as diamond thin films. The volume is divided into six parts, each covering an important theme of the conference.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This volume contains written versions of the papers presented at the Third Inter national Conference on Amorphous and Crystalline Silicon Carbide and Other Group IV-IV Materials (lCACSC 90), which was held at Howard University, April 11-13, 1990 in W…ashington, DC. The ICACSC continued to provide an international forum for discussion and exchange of ideas regarding the current state of research aimed at developing silicon carbide devices and circuits and related materials. ICACSC attracted over one hundred participants from seven countries. A special session was held in honor of the eight Soviet scientists who attended the conference. The substantial increase in the number of papers compared with the previous year is an indication of the growing interest in this field. The conference also included a poster session for the first time. This volume contains 54 refereed contributions grouped into four parts. Several exciting new results are reported for the first time here: SiC-based solid-solution growth and technology, the formation of SiGe heterostructures by ion implantation, 6H-SiC substrates grown by the sublimation method, expla nation of the appearance of negative differential resistance in a N+PN-SiC-6H transistor by the Wannier-Starck effect, the formation of amorphous SiC/Si het erojunctions by the polymer route, and the prospects of developing SiC bipolar transistors and thyristors.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Silicon carbide and other group IV-IV materials in theiramorphous, microcrystalline, and crystalline forms have awide variety of applications.The contributions to thisvolume report recent developments and trends in the field.The purpose is to make av…ailable the current state ofunderstanding of the materials and their potentialapplications. Eachcontribution focuses on a particulartopic, such as preparation methods, characterization, andmodels explaining experimental findings. The volume alsocontains the latest results in the exciting field of SiGe/Siheterojunction bipolar transistors.The reader will find this book valuable as a referencesource, an up-to-date and in-depth overview of this field,and, most importantly, as a window into the immense range ofreading potential applications of silicon carbide. It isessential for scientists, engineers and students interestedin electronic materials, high-speed heterojunction devices,and high-temperature optoelectronics.
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Zustand: Gut. Zustand: Gut | Seiten: 444 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
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Paperback. Zustand: Brand New. 304 pages. 10.80x8.30x0.70 inches. In Stock.
