Fleischmann simon (6 Ergebnisse)

Softcover. 23,7 x 16,5 cm. Weiße Originalbroschur mit schwarzem Deckblatttitel, leicht fleckig und braunfleckig. 69 (3) Seiten Text, einige Blatt mit einfarbigen Tafelabbildungen zusätzlich enthalten. Das Papier in den Randbereichen schwankend leicht braunfleckig, ansonsten sauberer und guter Zustand. -- Bitte Portokosten außerhalb EU erfragen! / Please ask for postage costs outside EU! / S ' il vous plait demander des frais de port en dehors de l ' UE! // Bitte beachten Sie auch unsere Fotos! / Please also note our photos! / Veuillez noter nos photos -- Wenn es draußen stürmt, können Sie es sich mit einem guten Buch gemütlich machen und ein warmes Getränk dazu genießen. Bei uns finden Sie die passende Lektüre! -- Wir kaufen Ihre werthaltigen Bücher! K25201-604011.…

paperback. Zustand: Good. Most items will be dispatched the same or the next working day. A copy that has been read but remains in clean condition. All of the pages are intact and the cover is intact and the spine may show signs of wear. The book may have minor markings which are not specifically mentioned.…

Zustand: Fair. Acceptable condition. Former Library book. German. (nervous system, diseases, books in German) A readable, intact copy that may have noticeable tears and wear to the spine. All pages of text are present, but they may include extensive notes and highlighting or be heavily stained. Includes reading copy only books. …

Hardcover. Zustand: Very Good +. No Jacket. 1st Edition. Viii, 393 Pp.Maroon Cloth, Gilt.First Printing, 19298 Date On Title Page. Very Good +: Light Edge Wear, No Names Or Marks Or Stains, No Fraying.

Zustand: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Sprache: Deutsch | Produktart: Bücher | Diese Arbeit bearbeitet grundlegende Probleme bei der Abscheidung von AlGaN mittels Hydridgasphasenepitaxie (HVPE). Die Ergebnisse eröffnen die Möglichkeit, dicke AlGaN-Schichten mittels HVPE als Substrate für AlGaN-basierte Bauelemente herzustellen. Beim lateralen Überwachsen von strukturierten Saphirsubstraten zum Spannungsabbau entstehen unerwünschte fehlorientierte Kristallite, welche die Koaleszenz der AlGaN-Schicht verzögern. Untersuchungen dieser Domänen ermöglichen es, ein Modell zur Nukleation und Propagation dieser AlGaN-Domänen zu entwickeln. Damit kann eine neuartige trigonale Saphirstrukturierung entwickelt werden, die es erlaubt, die Bildung fehlorientierter Kristallite zu unterdrücken und deren Propagation zu blockieren. Auf diese Weise lassen sich AlGaN-Schichten mit erhöhter Materialqualität abscheiden. Weiter wird der Wirkmechanismus der AlN-Pufferschicht untersucht, um die Materialqualität der AlGaN-Schichten zu erhöhen. Die Verwendung eines Kompositionsgradienten wird erfolgreich evaluiert. Durch gezieltes Einbringen kompressiver Spannung gelingt es, den Spannungszustand in der AlGaN-Schicht zu kontrollieren. Eine Quelle tensiler Spannung ¿ die hohe Hintergrunddotierung mit Silizium ¿ kann einer parasitären Reaktion zugeordnet werden. Diese lässt sich durch Substitution des Reaktormaterials unterbinden. Dadurch kann die Versetzungsdichte über die Schichtdicke reduziert werden, ohne weitere tensile Spannung in AlGaN-Schichten zu erzeugen. Dies wiederum ist ein maßgeblicher Mechanismus für die Herstellung defektreduzierter Schichten, die als Substrate eingesetzt werden können.…

1. Original-Kupferstich von Fleischmann (in der Platte signiert) auf rückseitig unbedrucktem Büttenblatt, bildliche Darstellung ca. 28 x 16,5 cm, Blattgröße ca. 28,5 x 16,5 cm, sehr gut erhalten, sehr selten 2100 gr.