Dutton robert w w (9 Ergebnisse)
Verlag: Bureau of Economic Geology., 1979
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Verlag: Bureau of Economic Geology., 1979
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Process and Device Simulation for M.O.S.-V.L.S.I. Circuits
Antognetti, P. (Editor) / Antoniadis, D.A. (Editor) / Dutton, Robert W. (Editor) / Oldham, W.G. (Editor)
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Paperback. Zustand: Brand New. 636 pages. 9.25x6.10x1.44 inches. In Stock.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - P. Antognetti University of Genova, Italy Director of the NATO ASI The key importance of VLSI circuits is shown by the national efforts in this field taking place in several countries at differ ent levels (government agencies, private industries, def…ense de partments). As a result of the evolution of IC technology over the past two decades, component complexi ty has increased from one single to over 400,000 transistor functions per chip. Low cost of such single chip systems is only possible by reducing design cost per function and avoiding cost penalties for design errors. Therefore, computer simulation tools, at all levels of the design process, have become an absolute necessity and a cornerstone in the VLSI era, particularly as experimental investigations are very time-consuming, often too expensive and sometimes not at all feasible. As minimum device dimensions shrink, the need to understand the fabrication process in a quanti tati ve way becomes critical. Fine patterns, thin oxide layers, polycristalline silicon interco~ nections, shallow junctions and threshold implants, each become more sensitive to process variations. Each of these technologies changes toward finer structures requires increased understanding of the process physics. In addition, the tighter requirements for process control make it imperative that sensitivities be unde~ stood and that optimation be used to minimize the effect of sta tistical fluctuations.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 1993
Serie: The Springer International Series in Engineering and Computer Science, Buch 175 von 260. Buch 175 von 260 - The Springer International Series in Engineering and Computer Science
- Hardcover
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2012
Serie: The Springer International Series in Engineering and Computer Science, Buch 175 von 260. Buch 175 von 260 - The Springer International Series in Engineering and Computer Science
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Verlag: Springer, Springer, 1993
Serie: The Springer International Series in Engineering and Computer Science, Buch 175 von 260. Buch 175 von 260 - The Springer International Series in Engineering and Computer Science
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - 129 3.6 Exercises 130 3.7 References. 131 4 PN Junctions 131 4.1 Introduction. 132 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case 4.3 Non-Equilibrium . . 139 4.4 Carrier Transport and Conservation 144 4.5 The pn Junction - Equilibrium Conditions. 147 155 4.6 The p…n Junction - Non-equilibrium. 4.7 SEDAN Analysis . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Heavy Doping Effects . . 176 4.7.2 Analysis of High-Level Injection 181 190 4.7.3 Technology-Dependent Device Effects 4.8 Summary 193 4.9 Exercises 193 194 4.10 References. 5 MOS Structures 197 5.1 Introduction . . 197 5.2 The MOS Capacitor . . 198 5.3 Basic MOSFET I-V Characteristics. 208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . . . . . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFET Design by Simulation. 234 5.6 Summary 240 5.7 Exercises 240 5.8 References. 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction . 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis . 252 6.4 Generalized Charge Storage Model 260 6.,1) Transistor Equivalent Circuits. 267 6.5.1 Charge Control Model .
Sprache: Englisch
Verlag: Kluwer Academic Publishers, 1993
Serie: The Springer International Series in Engineering and Computer Science, Buch 175 von 260. Buch 175 von 260 - The Springer International Series in Engineering and Computer Science
- Hardcover
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Zustand: New. Presents a discourse on process and device CAD as interrelated subjects, building on a wide range of experiences and applications of the SUPREM program. Series: The Springer International Series in Engineering and Computer Science. Num Pages: 373 pages, biography. BIC Classification: TBC; TJFD. Category: (P) Profes…sional & Vocational. Dimension: 234 x 156 x 22. Weight in Grams: 730. . 1993. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
