Colinge (63 Ergebnisse)
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Verlag: Harcourt, Brace and Co: NY, 1945
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In den WarenkorbPhotos, 8 x 5.5, yellow cloth, 173 + photos, extremities bumped and fraying, hinges loose, ink inscription else ok in edge-worn and edge-torn, tape repaired, soiled dw. FIRST ED, INSCRIBED AND SIGNED BY MARGALO AND PATRICIA, Jan. 1, 1946. Gillmore's story of tour of the theatrical production of The Barretts of Wimpole Street. Sh…e was also well known as Mrs. Darling in Peter Pan.
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Zustand: Bueno. : Este libro trata sobre la tecnología de silicio sobre aislante (SOI), un enfoque innovador en la fabricación de dispositivos microelectrónicos. Explora los materiales y técnicas utilizados en la creación de dispositivos VLSI (Integración a Muy Gran Escala) utilizando tecnología SOI. Se discuten los principios f…undamentales, las ventajas y las aplicaciones de esta tecnología en la ingeniería de sistemas y la ingeniería informática. El libro está dirigido a estudiantes y profesionales interesados en el diseño y la fabricación de dispositivos electrónicos avanzados. EAN: 9781475721232 Tipo: Libros Categoría: Tecnología|Ciencias Título: Silicon-on-Insulator Technology Autor: Jean-Pierre Colinge Editorial: Springer US Idioma: eng Páginas: 228.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2007
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Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices (Nato Science Partnership Subseries: 3 (closed))
Nazarov, Alexei N. (Editor) / Lysenko, Vladimir S. (Editor) / Colinge, J.-P. (Editor)
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Paperback. Zustand: Brand New. reprint edition. 300 pages. 9.40x6.20x0.80 inches. In Stock.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, Springer, 2012
Serie: Buch 9 von 26 - Nato Science Partnership Subseries: 3
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - In Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices, specialists in silicon-on-insulator technology from both East and West meet for the first time, giving the reader the chance to become acquainted with work from the former Soviet Union…, hitherto only available in Russian and barely available to western scientists. Keynote lectures and state-of-the-art presentations give a wide-ranging panorama of the challenges posed by SOI materials and devices, material fabrication techniques, characterisation, device and circuit issues.
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - In Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices, specialists in silicon-on-insulator technology from both East and West meet for the first time, giving the reader the chance to become acquainted with work from the former Soviet Union, hithe…rto only available in Russian and barely available to western scientists. Keynote lectures and state-of-the-art presentations give a wide-ranging panorama of the challenges posed by SOI materials and devices, material fabrication techniques, characterisation, device and circuit issues.
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Zustand: Used. pp. 384 Illus.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - 5. 2. Distinction between thick- and thin-film devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109 5. 3. I-V Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .… . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112 5. 3. 1. Threshold voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 2 5. 3 . 2. Body effecL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1 8 5. 3. 3. Short-channel effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 5. 3. 4. Output characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 24 5. 4. Transconductance and mobility . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129 5. 4. 1 Transconductance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129 5. 4. 2. Mobility . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 5. 5. Subthreshold slope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132 5. 6. Impact ionization and high-field effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 9 5. 6. 1. Kink effecL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 39 5. 6. 2. Hot-electron degradation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143 5. 7. Parasitic bipolar effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145 5. 7. 1. Anomalous subthreshold slope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 45 5. 7. 2. Reduced drain breakdown voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 7 5. 8. Accumulation-mode p-channel MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 9 CHAPTER 6 - Other SOl Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 5 9 6. 1. Non-conventional devices adapted from bulk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159 6. 1. 1. COMFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160 6. 1. 2. High-voltage lateral MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 6 1 6. 1. 3. PIN photodiode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162 6. 1. 4. JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163 6. 2. Novel SOl devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164 6. 2. 1. Lubistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Sprache: Englisch
Verlag: Kluwer Academic Pub, 1995
Serie: Buch 9 von 26 - Nato Science Partnership Subseries: 3
- Hardcover
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Hardcover. Zustand: Brand New. 290 pages. 10.00x6.75x1.00 inches. In Stock.
Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices
Colinge, Jean-Pierre|Lysenko, Vladimir S.|Nazarov, Alexei N.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Netherlands|Springer, Berlin, 1995
Serie: Buch 9 von 26 - Nato Science Partnership Subseries: 3
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- Softcover
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Paperback. Zustand: Brand New. reprint edition. 240 pages. 9.25x6.10x0.71 inches. In Stock.
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Zustand: New. Explains the principles and the physics of SOI materials fabrication and characterization, SOI processing SOI MOSFET device physics, and the use of SOI material in novel device design. The performances of SOI circuits for VLSI/ULSI and for niche applications are also described. Series: The Springer International Se…ries in Engineering and Computer Science. Num Pages: 228 pages, biography. BIC Classification: TJFD. Category: (P) Professional & Vocational; (UP) Postgraduate, Research & Scholarly. Dimension: 234 x 156 x 14. Weight in Grams: 520. . 1991. Hardback. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 456 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
