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2D Materials for Nanoelectronics (Series in Materials Science and Engineering)
Buch 7 von 21: Series in Materials Science and EngineeringAnbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
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2d Materials for Nanoelectronics
Buch 7 von 21: Series in Materials Science and EngineeringAnbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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Advanced Gate Stacks For High-mobility Semiconductors
Anbieter: Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, USA
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2D Materials for Nanoelectronics
Buch 7 von 21: Series in Materials Science and EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Taylor & Francis Ltd Mär 2021, 2021
ISBN 10: 0367783037 ISBN 13: 9780367783037
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Neuware.
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 408 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book provides a comprehensive monograph on gate stacks in semiconductor technology. It covers the major latest developments and basics and will be useful as a reference work for researchers, engineers and graduate students alike. The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any closer to a viable Ge and III-V MOS technology.
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Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg Nov 2007, 2007
ISBN 10: 3540714901 ISBN 13: 9783540714903
Anbieter: buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Deutschland
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Buch. Zustand: Neu. Neuware -This book provides a comprehensive monograph on gate stacks in semiconductor technology. It covers the major latest developments and basics and will be useful as a reference work for researchers, engineers and graduate students alike. The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any closer to a viable Ge and III-V MOS technology.Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 408 pp. Englisch.
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Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Berlin Heidelberg, 2010
ISBN 10: 3642090710 ISBN 13: 9783642090714
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Will nanoelectronic devices continue to scale according to Moore's law At this moment, there is no easy answer since gate scaling is rapidly emerging as a serious roadblock for the evolution of CMOS technology. Channel engineering based on high-mobility semiconductor materials (e.g. strained Si, alternative orientation substrates, Ge or III-V compounds) could help overcome the obstacles since they offer performance enhancement. There are several concerns though. Do we know how to make complex engineered substrates (e.g. Germanium-on-Insulator) Which are the best interface passivation methodologies and (high-k) gate dielectrics on Ge and III-V compounds Can we process these materials in short channel transistors using flows, toolsets and know how similar to that in Si technology How do these materials and devices behave at the nanoscale The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any close to a viable Ge and III-V MOS technology.
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Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Berlin Heidelberg, 2007
ISBN 10: 3540714901 ISBN 13: 9783540714903
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Will nanoelectronic devices continue to scale according to Moore's law At this moment, there is no easy answer since gate scaling is rapidly emerging as a serious roadblock for the evolution of CMOS technology. Channel engineering based on high-mobility semiconductor materials (e.g. strained Si, alternative orientation substrates, Ge or III-V compounds) could help overcome the obstacles since they offer performance enhancement. There are several concerns though. Do we know how to make complex engineered substrates (e.g. Germanium-on-Insulator) Which are the best interface passivation methodologies and (high-k) gate dielectrics on Ge and III-V compounds Can we process these materials in short channel transistors using flows, toolsets and know how similar to that in Si technology How do these materials and devices behave at the nanoscale The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any close to a viable Ge and III-V MOS technology.
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Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Berlin Heidelberg, 2007
ISBN 10: 3642090710 ISBN 13: 9783642090714
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
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2D Materials for Nanoelectronics (Series in Materials Science and Engineering)
Buch 7 von 21: Series in Materials Science and EngineeringAnbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
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2D Materials for Nanoelectronics
Buch 7 von 21: Series in Materials Science and EngineeringSprache: Englisch
Verlag: Taylor & Francis Apr 2016, 2016
ISBN 10: 1498704174 ISBN 13: 9781498704175
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
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