Dimoulas athanasios (15 Ergebnisse)
Sprache: Englisch
Verlag: CRC Press, 2021
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Buch 7 von 21. Buch 7 von 21 - Series in Materials Science and Engineering
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2d Materials for Nanoelectronics
Houssa, Michel (Editor)/ Dimoulas, Athanasios (Editor)/ Molle, Alessandro (Editor)
Sprache: Englisch
Verlag: CRC Pr I Llc, 2021
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Buch 7 von 21. Buch 7 von 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2007
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Buch 13 von 72. Buch 13 von 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Sprache: Englisch
Verlag: CRC Press, 2021
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Buch 7 von 21. Buch 7 von 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Sprache: Englisch
Verlag: Taylor & Francis Ltd Mär 2021, 2021
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Buch 7 von 21. Buch 7 von 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Neuware.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2010
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Buch 13 von 72. Buch 13 von 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Verlag: Springer, 2010
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Buch 13 von 72. Buch 13 von 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors | Athanasios Dimoulas (u. a.) | Taschenbuch | Springer Series in Advanced Microelectronics | xxii | Englisch | 2010 | Springer | EAN 9783642090714 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juerge…n[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 408 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | This book provides a comprehensive monograph on gate stacks in semiconductor technology. It covers the major latest developments and basics and will be useful as a reference work for researchers, engineers and graduate students alike. T…he reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any closer to a viable Ge and III-V MOS technology.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg, 2007
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Will nanoelectronic devices continue to scale according to Moore's law At this moment, there is no easy answer since gate scaling is rapidly emerging as a serious roadblock for the evolution of CMOS technology. Channel engineering based on high-mobility sem…iconductor materials (e.g. strained Si, alternative orientation substrates, Ge or III-V compounds) could help overcome the obstacles since they offer performance enhancement. There are several concerns though. Do we know how to make complex engineered substrates (e.g. Germanium-on-Insulator) Which are the best interface passivation methodologies and (high-k) gate dielectrics on Ge and III-V compounds Can we process these materials in short channel transistors using flows, toolsets and know how similar to that in Si technology How do these materials and devices behave at the nanoscale The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any close to a viable Ge and III-V MOS technology.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2010
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Buch 13 von 72. Buch 13 von 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Will nanoelectronic devices continue to scale according to Moore's law At this moment, there is no easy answer since gate scaling is rapidly emerging as a serious roadblock for the evolution of CMOS technology. Channel engineering based on high-mobil…ity semiconductor materials (e.g. strained Si, alternative orientation substrates, Ge or III-V compounds) could help overcome the obstacles since they offer performance enhancement. There are several concerns though. Do we know how to make complex engineered substrates (e.g. Germanium-on-Insulator) Which are the best interface passivation methodologies and (high-k) gate dielectrics on Ge and III-V compounds Can we process these materials in short channel transistors using flows, toolsets and know how similar to that in Si technology How do these materials and devices behave at the nanoscale The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any close to a viable Ge and III-V MOS technology.
Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors
Dimoulas, Athanasios (Editor) / Gusev, Evgeni (Editor) / Heyns, Marc (Editor) / McIntyre, Paul C. (Editor)
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Berlin Heidelberg, 2007
Serie: Springer Series in Advanced Microelectronics, Buch 13 von 72. Buch 13 von 72 - Springer Series in Advanced Microelectronics
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Paperback. Zustand: Brand New. 383 pages. 9.00x6.00x0.92 inches. In Stock.
Sprache: Englisch
Verlag: Taylor & Francis Group, 2016
Serie: Series in Materials Science and Engineering, Buch 7 von 21. Buch 7 von 21 - Series in Materials Science and Engineering
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Verlag: CRC Press, 2016
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Verlag: Taylor & Francis Apr 2016, 2016
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