Angsuman sarkar (40 Ergebnisse)
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Subthreshold Surface Potential Model for Short-Channel Mosfet | Using Pseudo 2d Analysis | Angsuman Sarkar | Taschenbuch | 84 S. | Englisch | 2014 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783659126093 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, m…ail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Subthreshold Modeling of Submicron MOSFETs | Short Channel Mosfets: Conventional and Dual Material Gate (DMG) | Angsuman Sarkar | Taschenbuch | 104 S. | Englisch | 2011 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783846522097 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 228…48 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu.
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Zustand: New. Kalyan Biswas, PhD, is an Assistant Professor in the ECE Department at MCKV Institute of Engineering in Liluah, Howrah, WB, India.Angsuman Sarkar, PhD, is a Professor in the ECE Department of the Kalyani Government Engineering College in Kalyani, Nadia, WB..
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Low Power VLSI Design: Fundamentals
Sarkar, Angsuman; De, Swapnadip; Chanda, Manash; Sarkar, Chandan Kumar
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Optical Switching: Device Technology and Applicati ons in Networks
Nandi, Sandip (Editor)/ Nandi, Dalia (Editor)/ Sarkar, Angsuman (Editor)/ Sarkar, Chandan (Editor)
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Buch. Zustand: Neu. Low Power VLSI Design | Fundamentals | Angsuman Sarkar (u. a.) | Buch | XIV | Englisch | 2016 | De Gruyter Oldenbourg | EAN 9783110455267 | Verantwortliche Person für die EU: Walter de Gruyter GmbH, De Gruyter GmbH, Genthiner Str. 13, 10785 Berlin, productsafety[at]degruyterbrill[dot]com | Anbieter: preigu.
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Buch. Zustand: Neu. Neuware - Comprehensive reference on the fundamental principles and basic physics dictating metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) operation Advanced Nanoscale MOSFET Architectures provides an in-depth review of modern metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) device techn…ologies and advancements, with information on their operation, various architectures, fabrication, materials, modeling and simulation methods, circuit applications, and other aspects related to nanoscale MOSFET technology. The text begins with an introduction to the foundational technology before moving on to describe challenges associated with the scaling of nanoscale devices. Other topics covered include device physics and operation, strain engineering for highly scaled MOSFETs, tunnel FET, graphene based field effect transistors, and more. The text also compares silicon bulk and devices, nanosheet transistors and introduces low-power circuit design using advanced MOSFETs. Additional topics covered include: - High-k gate dielectrics and metal gate electrodes for multi-gate MOSFETs, covering gate stack processing and metal gate modification - Strain engineering in 3D complementary metal-oxide semiconductors (CMOS) and its scaling impact, and strain engineering in silicon-germanium (SiGe) FinFET and its challenges and future perspectives - TCAD simulation of multi-gate MOSFET, covering model calibration and device performance for analog and RF applications - Description of the design of an analog amplifier circuit using digital CMOS technology of SCL for ultra-low power VLSI applications Advanced Nanoscale MOSFET Architectures helps readers understand device physics and design of new structures and material compositions, making it an important resource for the researchers and professionals who are carrying out research in the field, along with students in related programs of study.
Low Power VLSI Design Fundamentals
Sarkar, Angsuman/ De, Swapnadip/ Chanda, Manash/ Sarkar, Chandan Kumar
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LOW POWER VLSI DESIGN : FUNDAMENTALS
Sarkar, Angsuman; De, Swapnadip; Chanda, Manash; Sarkar, Chandan Kumar
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