A l ferry (44 Ergebnisse)
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Zustand: acceptable. Ausreichend/Acceptable: Exemplar mit vollständigem Text und sämtlichen Abbildungen oder Karten. Schmutztitel oder Vorsatz können fehlen. Einband bzw. Schutzumschlag weisen unter Umständen starke Gebrauchsspuren auf. / Describes a book or dust jacket that has the complete text pages (including those with maps… or plates) but may lack endpapers, half-title, etc. (which must be noted). Binding, dust jacket (if any), etc may also be worn.
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Zustand: good. Befriedigend/Good: Durchschnittlich erhaltenes Buch bzw. Schutzumschlag mit Gebrauchsspuren, aber vollständigen Seiten. / Describes the average WORN book or dust jacket that has all the pages present.
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Zustand: very good. Gut/Very good: Buch bzw. Schutzumschlag mit wenigen Gebrauchsspuren an Einband, Schutzumschlag oder Seiten. / Describes a book or dust jacket that does show some signs of wear on either the binding, dust jacket or pages.
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L'ENFANCE DES FRANCAIS D'ALGERIE AVANT 1962
SEBBAR, Leïla; ACEVAL, Nora; AMATO, Alain; BAHLOUL, Joëlle; BALAZARD, Simone; BEN AYCH, Gil; BENSOUSSAN, Albert; CASTELLANI, Jean-Pierre; DE LA HOGUE, Janine; FERRY, Alain; FRÉMEAUX, Jacques; GONZALES, Jean-Jacques; GUEDJ, Colette; IANCU-AGOU, Danièle; JOB-QUERZOLA, Andrée; JORDI, Jean-Jacques; LALANNE, Catherine; LANGLOIS, Anne-Marie; MARTINEZ, Louis; MARTINI, Lucienne; MATHIEU-JOB, Martine; MORIN, Georges; NICOLAS, Mireille; PERRET, Michèle; SAROCCHI, Jean; VIRCONDELET, Alain; XUEREB, Jean-Claude; ZIMMERMAN, Bernard
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Verlag: Marvel Universe, 2024
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Phrenology Made Easy | A new system of mental science. Second Edition | A. L. Ferry | Taschenbuch | 76 S. | Englisch | 2017 | hansebooks | EAN 9783337390426 | Verantwortliche Person für die EU: Hansebooks GmbH, Trakehner Weg 52, 22844 Norderstedt, gb[at]hansebooks[dot]com | Anbieter: preigu.
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In den WarenkorbParis, Gallimard, 1987. 134 pp. Paperback. (Le monde actuel) *good condition*.
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Zustand: NEW. Ferry, Pasqual; Land, Greg (illustrator).
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Couverture souple. Zustand: bon. R320021455: 1998. In-8. Broché. Etat d'usage, Couv. légèrement passée, Dos satisfaisant, Quelques rousseurs. 572 pages - Nombreuses annotations au crayon sur les pages de garde et et soulignements dans le texte - Rousseurs essentiellements sur les pages de garde et quelques unes sur les tranches.… . . . Classification Dewey : 844-Essais.
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In den WarenkorbParis, Laffont, 1998. 573 pp. Paperback. *sticker and text on endpaper, text block foxed, some foxing in the text, otherwise in good condition*.
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In den WarenkorbCouverture souple. Zustand: Très bon. Paris . Imprimerie Nationale . 1879 . Broché in-8 de 24 pages . Dédicace de l'Auteur .
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Fluid Rock Interactions During Metamorphism (Advances in Physical Geochemistry)
Walther, J.V. (Editor) / Wood, B.J. (Editor) / Crawford, M.L. (Contributor) / Ferry, J.M. (Contributor) / Gregory, R.T. (Contributor) / Hollister, L.S. (Contributor) / Newton, R.C. (Contributor) / Ridley, J. (Contributor) / Thompson, A.B. (Contributor)
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Paperback. Zustand: Brand New. reprint edition. 218 pages. 9.20x6.10x0.02 inches. In Stock.
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Zustand: Used: Like New. LIVRE A L?ETAT DE NEUF. EXPEDIE SOUS 3 JOURS OUVRES. NUMERO DE SUIVI COMMUNIQUE AVANT ENVOI, EMBALLAGE RENFORCE. EAN:9782813233110. Robin, Julia; Ferry, Charles (illustrator).
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The operation of semiconductor devices depends upon the use of electrical potential barriers (such as gate depletion) in controlling the carrier densities (electrons and holes) and their transport. Although a successful device design is quite complic…ated and involves many aspects, the device engineering is mostly to devise a 'best' device design by defIning optimal device structures and manipulating impurity profIles to obtain optimal control of the carrier flow through the device. This becomes increasingly diffIcult as the device scale becomes smaller and smaller. Since the introduction of integrated circuits, the number of individual transistors on a single chip has doubled approximately every three years. As the number of devices has grown, the critical dimension of the smallest feature, such as a gate length (which is related to the transport length defIning the channel), has consequently declined. The reduction of this design rule proceeds approximately by a factor of 1. 4 each generation, which means we will be using 0. 1-0. 15 ). lm rules for the 4 Gb chips a decade from now. If we continue this extrapolation, current technology will require 30 nm design rules, and a cell 3 2 size 10 nm , for a 1Tb memory chip by the year 2020. New problems keep hindering the high-performance requirement. Well-known, but older, problems include hot carrier effects, short-channel effects, etc. A potential problem, which illustrates the need for quantum transport, is caused by impurity fluctuations.
