Nirmal d (33 Ergebnisse)
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Zustand: New. pp. 148.
Sprache: Englisch
Verlag: PATRIOT PUBLISHERS, NEW DELHI, 1984
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In den WarenkorbHardcover. Zustand: Fair. Dust Jacket Included. THE DUST JACKET HAS LIGHT SCUFFING TO THE EDGES WITH MINOR CREASING. THERE APPEARS TO HAVE BEEN SOME LIQUID DAMAGE AROUND THE JOINT IN THE BOOK WHICH IS ALL DRY AND CRINKLED BUT PAGES NOT DAMAGED. THE BINDING IS TIGHT BUT SLIGHT SPLIT AT THE BOTTOM TO THE FRONT. THE PAGES ARE GENER…ALLY CLEAN AND CREASE FREE. THIS IS A GOOD READABLE EXAMPLE OF AN INTERESTING BOOK.
Weitere BilderVerlag: Firma K. L. Mukhopadhyay, Calcutta, 1965
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In den WarenkorbSoft cover. 8vo. pp xxiv, 101, vii, 33. Publisher's beige card jacket with black lettering at front and spine. Publisher's beige wraps. Facsimile reprint of the 1893 edition. Clean and unmarked throughout, however covers are rubbed along edges. Dust jacket is a bit marked and spotted with chips and tears at top and bottom of spi…ne. Overall good plus.
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India and Indonesia from the 1830s to 1914: The Heyday of Colonial Rule (Comparative History of India and Indonesia, Volume 2)
Mushirul Hasan; D. H. Evans; J. A. De Moor; A. M. Djuliati Suroyo; G. Johnson; C. A. Bayly; V. J. H. Houben; P. Boomgaard; P. C. Emmer; F. Tichelman; J. F. Richards; J. Hagen; Rajat Ray; Nirmal Sengupta; J. Krishnamurty; Djoko Suryo; Sartono Kartodirdjo
Sprache: Englisch
Verlag: E. J. Brill, 1987
Serie: Buch 3 von 4 - Comparative History of India and Indonesia
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Energy Harvesting and Storage Devices: Sustainable Materials and Methods
Thoutam, Laxman Raju (Editor)/ Ajayan, J. (Editor)/ Nirmal, D. (Editor)
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Paperback. Zustand: Brand New. 442 pages. 10.00x7.01x1.00 inches. In Stock.
Semiconductor Devices and Technologies for Future Ultra Low Power Electronics
Nirmal, D. (Editor)/ Ajayan, J. (Editor)/ Fay, Patrick J. (Editor)
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Energy Harvesting and Storage Devices: Sustainable Materials and Methods
Thoutam, Laxman Raju (Editor)/ Ajayan, J. (Editor)/ Nirmal, D. (Editor)
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This volume focuses on GaN HEMT, the most promising transistor technology for RF power applications such as 5G communications, space and defense. The contents include accurate small signal models required to predict the RF power performance of RF ele…ctronic circuits, large signal modeling of GaN HEMTs, accurate and compact physical models to assist the RF circuit designers to optimize GaN HEMT-based power amplifiers and integrated circuits, among others. The book also covers thermal resistance modeling of GaN HEMTs, charge-based compact models, and surface potential-based models to study the impact of gate leakage current on the RF power performance of GaN HEMTs. This book also deals with the analytical modeling of intrinsic charges and surface potential of GaN HEMTs, physical modeling of charge trapping, neural network-based GaN HEMT models, numerical-based GaN HEMT models, modeling of short channel effects in GaN HEMTs, modeling of parasitic capacitances and resistances, modelingof current collapse and kink effects in HGaN HEMTs, etc. This volume will be a useful to those in industry and academia.
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This volume focuses on GaN HEMT, the most promising transistor technology for RF power applications such as 5G communications, space and defense. The contents include accurate small signal models required to predict the RF power performance of RF electronic… circuits, large signal modeling of GaN HEMTs, accurate and compact physical models to assist the RF circuit designers to optimize GaN HEMT-based power amplifiers and integrated circuits, among others. The book also covers thermal resistance modeling of GaN HEMTs, charge-based compact models, and surface potential-based models to study the impact of gate leakage current on the RF power performance of GaN HEMTs. This book also deals with the analytical modeling of intrinsic charges and surface potential of GaN HEMTs, physical modeling of charge trapping, neural network-based GaN HEMT models, numerical-based GaN HEMT models, modeling of short channel effects in GaN HEMTs, modeling of parasitic capacitances and resistances, modelingof current collapse and kink effects in HGaN HEMTs, etc. This volume will be a useful to those in industry and academia.
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