Analysis and Design of MOSFETs : Modeling, Simulation, and Parameter Extraction

Sprache: Englisch

Verlag: Springer US, 1998

0412146010 / 9780412146015

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Zustand: Gut | Seiten: 372 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). These issues include MOSFET device physics, modeling, numerical simulation, and parameter extraction. The discussion of the application of device simulation to the extraction of MOSFET parameters, such as the threshold voltage, effective channel lengths, and series resistances, is of particular interest to all readers and provides a valuable learning and reference tool for students, researchers and engineers. Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction, extensively referenced, and containing more than 180 illustrations, is an innovative and integral new book on MOSFETs design technology.

Bestandsnummer des Verkäufers 1506339/203

Titel
Analysis and Design of MOSFETs : Modeling, Simulation, and Parameter Extraction
Autor
Juin Jei Liou, Francisco Garcia-Sanchez, Adelmo Ortiz-Conde
Verlag
Springer US
Erscheinungsjahr
1998
Zustand
Gut
Einband
Hardcover
Sprache
Englisch
ISBN-10
0412146010
ISBN-13
9780412146015
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