Mosfet Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch: 122 (Analog Circuits and Signal Processing) - Hardcover
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Reseña del editor:
This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies which are used for the design of Double-Pole Four-Throw (DP4T) RF switches for next generation communication systems. The authors discuss the design of the (DP4T) RF switch by using the Double-Gate (DG) MOSFET, as well as the Cylindrical Surrounding double-gate (CSDG) MOSFET. The effect of HFO2 (high dielectric material) in the design of DG MOSFET and CSDG MOSFET is also explored. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters, as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.
Biografía del autor:
Dr. Viranjay M. Srivastava is an Assistant Professor at Jaypee University of Information Technology. Dr. Ghanshyam Singh is an Associate Professor at Jaypee University of Information Technology.
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- VerlagSpringer
- Erscheinungsdatum2013
- ISBN 10 3319011642
- ISBN 13 9783319011646
- EinbandTapa dura
- Anzahl der Seiten216
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Mosfet Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch
Verlag:
Springer International Publishing 2013-10-18, Berlin
(2013)
ISBN 10: 3319011642
ISBN 13: 9783319011646
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Buchbeschreibung hardback. Zustand: New. Language: ENG. Artikel-Nr. 9783319011646
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MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch
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Springer International Publishing
(2013)
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ISBN 13: 9783319011646
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Buchbeschreibung Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies which are used for the design of Double-Pole Four-Throw (DP4T) RF switches for next generation communication systems. The authors discuss the design of the (DP4T) RF switch by using the Double-Gate (DG) MOSFET, as well as the Cylindrical Surrounding double-gate (CSDG) MOSFET. The effect of HFO2 (high dielectric material) in the design of DG MOSFET and CSDG MOSFET is also explored. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters, as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition. Artikel-Nr. 9783319011646
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