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Verlag: Springer International Publishing, 2013
ISBN 10: 3319011642ISBN 13: 9783319011646
Anbieter: Buchpark, Trebbin, Deutschland
Buch
Zustand: Sehr gut. Zustand: Sehr gut - Buchschnitt verkürzt - gepflegter, sauberer Zustand - Ausgabejahr 2014 | Seiten: 216 | Sprache: Englisch.
Verlag: Springer International Publishing, 2013
ISBN 10: 3319011642ISBN 13: 9783319011646
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Buch
Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies which are used for the design of Double-Pole Four-Throw (DP4T) RF switches for next generation communication systems. The authors discuss the design of the (DP4T) RF switch by using the Double-Gate (DG) MOSFET, as well as the Cylindrical Surrounding double-gate (CSDG) MOSFET. The effect of HFO2 (high dielectric material) in the design of DG MOSFET and CSDG MOSFET is also explored. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters, as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.