MRS Proceedings; 6 X 6 X 9 inches; 322 pages; B&W illustrations. Graphs. Ex-Library copy with usual identifiers. Very Good condition otherwise. No other noteworthy defects. No markings on text pages. ; - Your satisfaction is our priority. We offer free returns and respond promptly to all inquiries. Your item will be carefully cushioned in bubble wrap and securely boxed. All orders ship on the same or next business day. Buy with confidence. 1st Edition (Unstated); No Printing Stated.

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Bibliografische Details

Titel: Silicon Carbide 2004 - Materials, Processing and Devices Volume 815: Symposium Held San Francisco 2004
Verlag: Materials Research Society, Warrendale, PA
Erscheinungsjahr: 2004
Sprache: Englisch
ISBN-10: 1558997652
ISBN-13: 9781558997653
Einband: Hardcover
Auflage: 1. Auflage
Zustand: Good+
Zustand des Schutzumschlags: No Dust Jacket

�ber diesen Titel

Inhaltsangabe

The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners.

Rese�a del editor

Silicon carbide (SiC) is a wide-bandgap semiconductor that can operate at temperatures well above 300�C, where silicon cannot perform. In addition, due to a high thermal conductivity equal to copper at room temperature, SiC is an ideal candidate for operation in harsh environments and at high-power levels. Rapid advances in SiC materials and devices have recently resulted in implementation of SiC-based electronic systems, and the impact of these devices is expected to significantly increase in the next several years. This book documents the most recent results on growth of bulk and epitaxial layers, physical and structural properties, process technology, and device development obtained since the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003) held in Lyon, France. Extended defects in silicon carbide are highlighted. The nature of defects induced by forward biasing of bipolar devices, as well as methods to suppress the degradation, are addressed.

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