Gesamtpreis (1 Artikel Artikel):
Versandziel:
random access memory (28 Ergebnisse)
Direkt zu den wichtigsten Suchergebnissen
Suchfilter
Produktart
- Alle Product Types
- Bücher (28)
- Magazine & Zeitschriften (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Comics (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Noten (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Kunst, Grafik & Poster (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Fotografien (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Karten (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Manuskripte & Papierantiquitäten (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
Zustand Mehr dazu
- Neu (22)
- Wie Neu, Sehr Gut oder Gut Bis Sehr Gut (1)
- Gut oder Befriedigend (5)
- Ausreichend oder Schlecht (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Wie beschrieben (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
Weitere Eigenschaften
- Erstausgabe (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Signiert (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Schutzumschlag (Keine weiteren Ergebnisse entsprechen dieser Verfeinerung)
- Angebotsfoto (9)
Sprache (2)
Gratisversand
Land des Verkäufers
Verkäuferbewertung
-
Random Access Memory
Sprache: Englisch
Verlag: French Bread Publications, 2006
ISBN 10: 097690490X ISBN 13: 9780976904908
Anbieter: World of Books (was SecondSale), Montgomery, IL, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: Good. Item in good condition. Textbooks may not include supplemental items i.e. CDs, access codes etc.
-
Random Access Memory
Verlag: English, 2014
ISBN 10: 9350450712 ISBN 13: 9789350450710
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
EUR 7,90
EUR 7,50 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 4 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. pp. 92.
-
Resistive Random Access Memory (RRAM)
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 29,69
EUR 11,53 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 1 verfügbar
In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. 78 pages. 9.25x7.51x9.25 inches. In Stock.
-
Development of a Six-Transistor Static Random-Access Memory Unit for Reduced Power Dissipation and Improved Characteristics in Sleep State
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 33,04
EUR 13,82 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. In.
-
Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Sprache: Englisch
Verlag: Morgan & Claypool Publishers, 2016
ISBN 10: 1627059296 ISBN 13: 9781627059299
Anbieter: Our Kind Of Books, Liphook, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 23,76
EUR 25,55 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 2 verfügbar
In den WarenkorbSoft cover. Zustand: As New. This book has been in storage since publication and is unread. Hence the description as new. Synopsis: RRAM technology has made significant progress in the past decade as a competitive candidate for the next generation non-volatile memory (NVM). This lecture is a comprehensive tutorial of metal oxide-based RRAM technology from device fabrication to array architecture design. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed.
-
Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Sprache: Englisch
Verlag: Morgan & Claypool Publishers (edition ), 2016
ISBN 10: 1627059296 ISBN 13: 9781627059299
Paperback. Zustand: Very Good. It's a well-cared-for item that has seen limited use. The item may show minor signs of wear. All the text is legible, with all pages included. It may have slight markings and/or highlighting.
-
Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Sprache: Englisch
Verlag: Morgan & Claypool Publishers (edition ), 2016
ISBN 10: 1627059296 ISBN 13: 9781627059299
Paperback. Zustand: Very Good. It's a well-cared-for item that has seen limited use. The item may show minor signs of wear. All the text is legible, with all pages included. It may have slight markings and/or highlighting.
-
Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Sprache: Englisch
Verlag: Morgan & Claypool Publishers (edition ), 2016
ISBN 10: 1627059296 ISBN 13: 9781627059299
Paperback. Zustand: New. The item is brand new, never used or read. It's in perfect condition and may include supplements and/or access codes or come shrink-wrapped.
-
Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Anbieter: World of Books (was SecondSale), Montgomery, IL, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Zustand: Good. Item in good condition. Textbooks may not include supplemental items i.e. CDs, access codes etc.
-
Trends In Capacitorless Dynamic Random Access Memory
Sprache: Englisch
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2023
ISBN 10: 6206782441 ISBN 13: 9786206782445
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
EUR 75,91
EUR 7,50 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 4 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New.
-
Resistive Random Access Memory (RRAM)
Sprache: Englisch
Verlag: Springer International Publishing, 2016
ISBN 10: 3031009029 ISBN 13: 9783031009020
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Taschenbuch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - RRAM technology has made significant progress in the past decade as a competitive candidate for the next generation non-volatile memory (NVM). This lecture is a comprehensive tutorial of metal oxide-based RRAM technology from device fabrication to array architecture design. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed. Chapter 2 introduces the RRAM device fabrication techniques and methods to eliminate the forming process, and will show its scalability down to sub-10 nm regime. Then the device performances such as programming speed, variability control, and multi-level operation are presented, and finally the reliability issues such as cycling endurance and data retention are discussed. Chapter 3 discusses the RRAM physical mechanism, and the materials characterization techniques to observe the conductive filaments andthe electrical characterization techniques to study the electronic conduction processes. It also presents the numerical device modeling techniques for simulating the evolution of the conductive filaments as well as the compact device modeling techniques for circuit-level design. Chapter 4 discusses the two common RRAM array architectures for large-scale integration: one-transistor-one-resistor (1T1R) and cross-point architecture with selector. The write/read schemes are presented and the peripheral circuitry design considerations are discussed. Finally, a 3D integration approach is introduced for building ultra-high density RRAM array. Chapter 5 is a brief summary and will give an outlook for RRAM's potential novel applications beyond the NVM applications.
-
Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Anbieter: Books From California, Simi Valley, CA, USA
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
hardcover. Zustand: Very Good.
-
Taschenbuch. Zustand: Neu. Resistive Random Access Memory (RRAM) | Shimeng Yu | Taschenbuch | Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies | vii | Englisch | 2016 | Springer | EAN 9783031009020 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
-
Resistive Random Access Memory | The New Generation High Speed Switching Non-Volatile Memory Device
Sprache: Englisch
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2012
ISBN 10: 3848488329 ISBN 13: 9783848488322
Taschenbuch. Zustand: Neu. Resistive Random Access Memory | The New Generation High Speed Switching Non-Volatile Memory Device | Arnab Hazra | Taschenbuch | 96 S. | Englisch | 2012 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783848488322 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
-
THE SCIENCE OF PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORIES (PCRAM) | Semiconductor memory
Sprache: Englisch
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2011
ISBN 10: 384430147X ISBN 13: 9783844301472
Taschenbuch. Zustand: Neu. THE SCIENCE OF PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORIES (PCRAM) | Semiconductor memory | Joseph Karanja | Taschenbuch | 92 S. | Englisch | 2011 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9783844301472 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu.
-
Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Anbieter: PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
EUR 113,81
EUR 5,79 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 15 verfügbar
In den WarenkorbHRD. Zustand: New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000.
-
Trends In Capacitorless Dynamic Random Access Memory
Sprache: Englisch
Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2023
ISBN 10: 6206782441 ISBN 13: 9786206782445
Taschenbuch. Zustand: Neu. Trends In Capacitorless Dynamic Random Access Memory | Yogesh Thakare | Taschenbuch | Englisch | 2023 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786206782445 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
-
DRAM-Dynamic Random Access Memory: --The memory of computer, smart phone and notebook PC
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 115,30
EUR 11,53 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 1 verfügbar
In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. 184 pages. 9.00x6.00x0.46 inches. In Stock.
-
Algorithms for Streaming Graphs | Approaching Graph Problems with Limited Memory and without Random Access
Sprache: Englisch
Verlag: Südwestdeutscher Verlag für Hochschulschriften, 2015
ISBN 10: 383810806X ISBN 13: 9783838108063
Taschenbuch. Zustand: Neu. Algorithms for Streaming Graphs | Approaching Graph Problems with Limited Memory and without Random Access | Mariano Zelke | Taschenbuch | 72 S. | Deutsch | 2015 | Südwestdeutscher Verlag für Hochschulschriften | EAN 9783838108063 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu.
-
Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 119,62
EUR 13,82 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. In.
-
Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
EUR 146,28
EUR 7,50 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 3 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. 250.
-
DRAM-Dynamic Random Access Memory: --The memory of computer, smart phone and notebook PC
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 147,67
EUR 11,53 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 1 verfügbar
In den WarenkorbPaperback. Zustand: Brand New. 184 pages. 9.00x6.00x0.46 inches. In Stock.
-
Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 171,48
EUR 11,53 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 2 verfügbar
In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. 1st edition. 264 pages. 9.50x6.50x0.50 inches. In Stock.
-
EUR 132,20
EUR 48,99 Versand
Versand von Deutschland nach USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switc.
-
Computer Memories 2: Static Random-Access Memory (ISTE Invoiced)
Anbieter: Majestic Books, Hounslow, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 4 von 5 Sternen
EUR 186,29
EUR 7,50 Versand
Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 3 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New.
-
Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 192,38
EUR 8,95 Versand
Versand innerhalb von USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed, radiation hardness, and durability. Num Pages: 264 pages. BIC Classification: TJ; UKS. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 242 x 158 x 18. Weight in Grams: 574. . 2016. 1st Edition. Hardcover. . . . . Books ship from the US and Ireland.
-
Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Neuware - Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed, radiation hardness, and durability. Although toggle-MRAM is currently a commercial product, it is clear that future developments in MRAM will be based on spin-transfer torque, which makes use of electrons' spin angular momentum instead of their charge. MRAM will require an amalgamation of magnetics and microelectronics technologies. However, researchers and developers in magnetics and in microelectronics attend different technical conferences, publish in different journals, use different tools, and have different backgrounds in condensed-matter physics, electrical engineering, and materials science.
-
Computer Memories 2: Static Random-Access Memory (ISTE Invoiced)
Anbieter: Kennys Bookstore, Olney, MD, USA
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
EUR 234,21
EUR 8,95 Versand
Versand innerhalb von USAAnzahl: Mehr als 20 verfügbar
In den WarenkorbZustand: New. 2026. 1st Edition. hardcover. . . . . . Books ship from the US and Ireland.
