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physics modeling mosfets surface potential von ezaki tatsuya (4 Ergebnisse)
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Physics and Modeling of Mosfets, The: Surface-Potential Model Hisim
Verlag: WORLD SCIENTIFIC PUB CO INC, 2008
ISBN 10: 9812568646 ISBN 13: 9789812568649
Sprache: Englisch
Zustand: Gut. Zustand: Gut | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher.
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The Physics And Modeling of Mosfets: Surface-potential Model Hisim
Verlag: World Scientific Pub Co Inc, 2008
ISBN 10: 9812568646 ISBN 13: 9789812568649
Sprache: Englisch
Anbieter: Revaluation Books, Exeter, Vereinigtes Königreich
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
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EUR 14,27 für den Versand von Vereinigtes Königreich nach USAAnzahl: 1 verfügbar
In den WarenkorbHardcover. Zustand: Brand New. illustrated edition. 350 pages. 9.25x6.50x1.00 inches. In Stock.
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Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-potential Model Hisim
Verlag: WORLD SCIENTIFIC PUB CO INC, 2008
ISBN 10: 9812568646 ISBN 13: 9789812568649
Sprache: Englisch
Gebunden. Zustand: New. Provides a description of the compact MOS transistor models for circuit simulation. This book considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the MOS transistor channel in order to give one.
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Physics and Modeling of Mosfets, The: Surface-Potential Model Hisim
Verlag: World Scientific Publishing Company Jun 2008, 2008
ISBN 10: 9812568646 ISBN 13: 9789812568649
Sprache: Englisch
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Deutschland
Verkäuferbewertung 5 von 5 Sternen
Buch. Zustand: Neu. Neuware - This volume provides a timely description of the latest compact MOS transistor models for circuit simulation. The first generation BSIM3 and BSIM4 models that have dominated circuit simulation in the last decade are no longer capable of characterizing all the important features of modern sub-100nm MOS transistors. This book discusses the second generation MOS transistor models that are now in urgent demand and being brought into the initial phase of manufacturing applications. It considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the MOS transistor channel in order to give one characterization equation.
