Nanowire electronics (8 Ergebnisse)
Sprache: Englisch
Verlag: Singapore, Springer., 2019
Serie: Nanostructure Science and Technology, Buch 55 von 60. Buch 55 von 60 - Nanostructure Science and Technology
- Hardcover
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VIII, 393 p. Hardcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Nanostructure Science and Technology. Sprache: Englisch.
Towards Reconfigurable Electronics by Functionality-Enhanced Circuits and Germanium Nanowire Devices
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Towards Reconfigurable Electronics by Functionality-Enhanced Circuits and Germanium Nanowire Devices
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Towards Reconfigurable Electronics by Functionality-Enhanced Circuits and Germanium Nanowire Devices | Jens Trommer | Taschenbuch | 164 S. | Englisch | 2017 | Books on Demand GmbH | EAN 9783744810555 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at…]bod[dot]de | Anbieter: preigu.
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Taschenbuch. Zustand: Neu. Top-down fabrication of reconfigurable nanowire-electronics | Maik Simon | Taschenbuch | Englisch | 2022 | Bookmundo Direct | EAN 9789403673028 | Verantwortliche Person für die EU: Bookmundo, Delftsestraat 33, 3013 AE ROTTERDAM, NIEDERLANDE, info[at]bookmundo[dot]com | Anbieter: preigu.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2018
Serie: Nanostructure Science and Technology, Buch 55 von 60. Buch 55 von 60 - Nanostructure Science and Technology
- Hardcover
Anbieter: Ria Christie Collections, Uxbridge, Vereinigtes KönigreichRia Christie Collections
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Zustand: Hervorragend. Zustand: Hervorragend | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Reconfigurable FETs (RFETs) can be toggled - unlike conventional CMOS transistors - between p- and n-type behavior in runtime. This allows to create compact and delay-efficient logic gates that can switch their functionality dynamically. RFET…s are based on an intrinsic semiconductor channel with Schottky junctions at source and drain and have at least two separate gates to control polarity and on/off state. Additional independent gates can enhance the versatility and switching slopes of the transistor. This thesis demonstrates the top-down fabrication and electrical characteristics of silicon-based RFETs with multiple independent gates. All processes required for forming silicon nanowires, omega-gate layout and nickel silicide contacts are described in detail. Further, the various influences of processing conditions, material stacks and geometry on the growth of nickel silicides in nanowires are examined. Lastly, the electrical characteristics of multiple RFETs with two to four individual gates are discussed and compared to those of prior-art RFET implementations.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer, 2019
Serie: Nanostructure Science and Technology, Buch 55 von 60. Buch 55 von 60 - Nanostructure Science and Technology
- Hardcover
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Hardcover. Zustand: Brand New. 404 pages. 9.25x6.10x1.10 inches. In Stock.
Sprache: Englisch
Verlag: Springer Nature Singapore, Springer Nature Singapore, 2018
Serie: Nanostructure Science and Technology, Buch 55 von 60. Buch 55 von 60 - Nanostructure Science and Technology
- Hardcover
Anbieter: AHA-BUCH GmbH, Einbeck, DeutschlandAHA-BUCH GmbH
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Buch. Zustand: Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - This book gives a comprehensive overview of recent advances in developing nanowires for building various kinds of electronic devices. Specifically the applications of nanowires in detectors, sensors, circuits, energy storage and conversion, etc., are review…ed in detail by the experts in this field. Growth methods of different kinds of nanowires are also covered when discussing the electronic applications. Through discussing these cutting edge researches, the future directions of nanowire electronics are identified.
